第三代半導(dǎo)體人注意！3 大「精度革命」神器即將空降蘇州，解鎖 SiC 生產(chǎn)降本增效密碼！
在第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）賽道上，0.1μm 的精度誤差可能導(dǎo)致良品率暴跌 15%，單晶圓成本激增數(shù)千元！從晶體生長(zhǎng)到晶圓加工，每一道工序都在考驗(yàn)設(shè)備的精度極限。
2025年8月20-21日在江蘇·蘇州由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，復(fù)拓科學(xué)儀器（蘇州）有限公司攜三大殺手锏級(jí)產(chǎn)品震撼亮相，直擊行業(yè)痛點(diǎn)：
✅ 膜厚測(cè)量?jī)x Premier 50：精準(zhǔn)到 Å 級(jí)的膜厚把控，告別外延層厚度不均導(dǎo)致的器件失效
✅ 光學(xué)表面形貌儀：納米級(jí)粗糙度檢測(cè)，讓微缺陷無(wú)處遁形
✅ 晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)：±1μm 的厚度測(cè)量精度，解決翹曲超差引發(fā)的封裝難題
🔥 三大主推產(chǎn)品，如何顛覆行業(yè)認(rèn)知？
1️⃣ 膜厚測(cè)量?jī)x Premier 50—— 外延層的「納米級(jí)標(biāo)尺」
SiC 器件性能高度依賴外延層質(zhì)量，但傳統(tǒng)測(cè)量方式誤差高達(dá) ±5%，導(dǎo)致批次性良品率不足 70%！Premier 50 憑借光譜橢偏 + 激光干涉雙技術(shù)融合，實(shí)現(xiàn)：
2️⃣ 光學(xué)表面形貌儀 —— 缺陷檢測(cè)的「納米顯微鏡」
SiC 晶圓表面的微小凸起或凹陷，可能造成器件擊穿電壓下降 20%！復(fù)拓這款設(shè)備搭載白光干涉 + 共聚焦復(fù)合技術(shù)，做到：
3️⃣ 晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng) —— 厚度控制的「微米級(jí)衛(wèi)士」
晶圓厚度不均會(huì)導(dǎo)致封裝應(yīng)力集中，引發(fā)芯片失效！該系統(tǒng)采用多光束共焦測(cè)量技術(shù)，實(shí)現(xiàn)：
📢 參會(huì)即享「三重硬核福利」，錯(cuò)過(guò)再等一年！
1️⃣ 零距離技術(shù)體驗(yàn)：現(xiàn)場(chǎng)操作三大設(shè)備，實(shí)測(cè)自家樣品數(shù)據(jù)（限前 20 名預(yù)約）
2️⃣ 定制化解決方案：復(fù)拓專家團(tuán)隊(duì)一對(duì)一診斷產(chǎn)線精度問(wèn)題，出具優(yōu)化報(bào)告
3️⃣ 展會(huì)專屬優(yōu)惠：現(xiàn)場(chǎng)簽約設(shè)備享折扣 + 年度校準(zhǔn)服務(wù)
碳化硅器件成本每降低 10%，市場(chǎng)份額就能提升 20%！這是一場(chǎng)關(guān)乎企業(yè)未來(lái) 5 年競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)博弈?，F(xiàn)在掃碼聯(lián)系會(huì)務(wù)組鎖定席位！
會(huì)務(wù)組緊急通道
📞 段經(jīng)理：13810445572（微信同號(hào)，備注「復(fù)拓」優(yōu)先對(duì)接）
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📍 坐標(biāo)：蘇州·白金漢爵大酒店（8 月 20-21 日 9:00-17:00）
