任娜 副研究員
| 專家姓名: | 任娜 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 副研究員 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
一直致力于碳化硅（SiC）電力電子器件的相關(guān)研究，其中包括SiC二極管和MOSFET器件的物理機(jī)制、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、芯片研制、器件測試與失效分析、性能與可靠性優(yōu)化等方向，并取得了一系列研究成果。 |
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| 自我介紹： | ||||
浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘副研究員，博士生導(dǎo)師。2010~2015年期間博士就讀于浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院，2016~2019年期間在美國加州大學(xué)洛杉磯分校做博士后。在器件領(lǐng)域國際知名期刊與會議上共發(fā)表40篇論文，其中SCI論文23篇，獲得了3項(xiàng)美國專利，正在申請10多項(xiàng)美國專利和10多項(xiàng)中國專利，并獲得2017屆電力電子領(lǐng)域最權(quán)威的國際學(xué)術(shù)會議（APEC）的杰出報(bào)告獎(jiǎng)，擔(dān)任2018年ECCE國際學(xué)術(shù)會議的分會場主席。2020年3月雙聘至浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院，并入選2020年浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心青年人才卓越計(jì)劃。 |
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| 所在單位: | 浙江大學(xué) | |||
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