參考價格
面議型號
100749/100748/100747/100415/100414//100413品牌
先豐納米產(chǎn)地
江蘇樣本
暫無制作方法:
.質量標準:
.純度:
.目數(shù):
2cmx2cm/1.5cmx1.5cm/1cmx1cm/品級:
一級看了氧化硅基底單晶單層石墨烯的用戶又看了
虛擬號將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號
氧化硅基底單晶單層石墨烯
貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數(shù) |
100749 | 7440-44-0 | XFG06 | 1 片 | 二氧化硅基底2x2cm,SiO2厚度:300nm |
產(chǎn)品名稱
中文名稱:氧化硅基底單晶單層石墨烯
英文名稱:Monolayer Graphene on SiO2/Si
性質
基底:二氧化硅
基底尺寸:2cmx2cm
SiO2厚度:300 nm
樣品總面積:>5000 μm2
應用
NA
氧化硅基底單晶單層石墨烯
貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數(shù) |
100748 | 7440-44-0 | XFG05 | 1 片 | 基底1.5cmx1.5cm,SiO2厚度: 300nm |
產(chǎn)品名稱
中文名稱:氧化硅基底單晶單層石墨烯
英文名稱:Monolayer Graphene on SiO2/Si
性質
基底:二氧化硅
基底尺寸:1.5cmx1.5cm
SiO2厚度:300 nm
樣品總面積:>5000 μm2
應用
NA
氧化硅基底單晶單層石墨烯
貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數(shù) |
100747 | 7440-44-0 | XFG04 | 1 片 | 二氧化硅基底1cmx1cm,SiO2厚度: 300nm |
產(chǎn)品名稱
中文名稱:氧化硅基底單晶單層石墨烯
英文名稱:Monolayer Graphene on SiO2/Si
性質
基底:二氧化硅
基底尺寸:1cmx1cm
SiO2厚度:300 nm
樣品總面積:>5000 μm2
應用
NA
氧化硅基底單晶單層石墨烯
貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數(shù) |
100415 | 7440-44-0 | XFG03 | 1 片 | 二氧化硅基底2cmx2cm,SiO2厚度: 90nm |
產(chǎn)品名稱
中文名稱:氧化硅基底單晶單層石墨烯
英文名稱:Monolayer Graphene on SiO2/Si
性質
直徑:約2 cm x 2 cm
SiO2厚度:90 nm
Si厚度:500 μm
應用
NA
氧化硅基底單晶單層石墨烯
貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數(shù) |
100414 | 7440-44-0 | XFG02 | 1 片 | 基底1.5cmx1.5cm,SiO2厚度: 90nm |
產(chǎn)品名稱
中文名稱:氧化硅基底單晶單層石墨烯
英文名稱:Monolayer Graphene on SiO2/Si
性質
直徑:約1.5cm x 1.5cm
SiO2厚度:90 nm
Si厚度:500 μm
應用
NA
氧化硅基底單晶單層石墨烯
貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數(shù) |
100413 | 7440-44-0 | XFG01 | 1 片 | 二氧化硅基底1cmx1cm,SiO2厚度: 90nm |
產(chǎn)品名稱
中文名稱:氧化硅基底單晶單層石墨烯
英文名稱:Monolayer Graphene on SiO2/Si
性質
直徑:約1cm x 1cm
SiO2厚度:90 nm
Si厚度:500 μm
應用
NA
暫無數(shù)據(jù)!
海水淡化是緩解淡水短缺的有效途徑,但傳統(tǒng)技術如反滲透、多級閃蒸等存在能耗高、成本大、環(huán)境污染等問題。將太陽能界面蒸發(fā)與發(fā)電相結合,生產(chǎn)淡水和電力是緩解淡水短缺和能源危機的有效途徑。迄今為止,科研人員致
2025 年諾貝爾化學獎公布,授予北川進(Susumu Kitagawa)、理查德·羅布森(Richard Robson)和奧馬爾·亞吉(Omar Yaghi),以表彰他們開發(fā)金屬-有機框架(MOF)
共價有機框架材料(COFs)是通過動態(tài)共價化學方法利用可逆反應將小分子共價連接得到的一類晶態(tài)有序的框架材料,其具有高比表面積和明確定制可調節(jié)的結構,在氣體儲存和分離、質子傳導、傳感器、能量儲存和催化等
金屬納米團簇是一種新型的納米材料,其尺寸在亞納米范圍內,通常直徑為1-3nm,包含10-300個金屬原子,表面配體作為保護劑覆蓋在金屬核上。金、銀、銅納米團簇是當前研究最多的3種金屬納米團簇,其在催化