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產(chǎn)品簡(jiǎn)介：鈣鈦礦鍍膜機(jī)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機(jī)薄膜等，可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗(yàn)工作，廣泛應(yīng)用于有機(jī)、無(wú)機(jī)、鈣鈦礦薄膜太陽(yáng)能電池、OLED等研究領(lǐng)域。
產(chǎn)品型號(hào) | 鈣鈦礦鍍膜機(jī) |
主要特點(diǎn) | 1、樣品位于真空室上方，蒸發(fā)源位于真空室下方，向上蒸發(fā)鍍膜，且蒸發(fā)源帶有擋板裝置。 2、設(shè)有烘烤加熱功能，可在鍍膜過(guò)程中加熱樣品，**烘烤加熱溫度為180℃。 3、設(shè)有斷水、斷電連鎖保護(hù)報(bào)警裝置及防誤操作保護(hù)報(bào)警裝置。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、鍍膜室：不銹鋼材料，采用方形前后開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu)，內(nèi)帶有防污板，腔室尺寸約為600mm×450mm×450mm 2、真空排氣系統(tǒng)：采用分子泵+機(jī)械泵系統(tǒng) 3、真空度：鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa 4、系統(tǒng)漏率：≤1×10-7Pa 5、蒸發(fā)源：安裝在真空室的下底上；有機(jī)蒸發(fā)源4個(gè)、容積5ml，2臺(tái)蒸發(fā)電源，可測(cè)溫、控溫，加熱溫度 400℃，功率0.5KW；無(wú)機(jī)蒸發(fā)源4套、容積5ml，2臺(tái)蒸發(fā)電源，加熱電流300A，功率3.2KW；蒸發(fā)源擋板采用自動(dòng)磁力控制方式控制其開(kāi)啟 6、樣品架：安裝在真空室的上蓋上，可放置?120mm的樣品、載玻片，旋轉(zhuǎn)速度0-30rpm 7、加熱溫度：RT-180℃，測(cè)溫、控溫 8、膜厚控制儀：石英晶振膜厚控制儀，膜厚測(cè)量范圍0-999999? |
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