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“For Wafer” Perpendicular Magnetic Layer Evaluation System

“晶片”垂直磁層評(píng)估系統(tǒng)

優(yōu)勢(shì)

測(cè)量垂直磁層12英寸的晶圓

規(guī)格

主要功能

Kerr Loop Measurement and Mapping Measurement

(Polar Kerr Effect)

光源

Diode Laser

探測(cè)光斑

φ1mm (Typ.)

磁場(chǎng)

Max. ± 25Oe (2.5T)

“For Wafer” In-Plane Magnetic Layer Evaluation System

“晶片”平面磁層評(píng)估系統(tǒng)

優(yōu)勢(shì)

測(cè)量平面磁層12英寸的晶圓

規(guī)格

主要功能

Kerr Loop Measurement and Mapping Measurement

(Longitudinal Kerr Effect)

光源

Diode Laser

探測(cè)光斑

φ1mm (Typ.)

磁場(chǎng)

Max. ± 2kOe (0.2T)

“For Hard Disc” Perpendicular Magnetic Recording Layer

Evaluation System

“硬盤”垂直磁記錄層評(píng)估系統(tǒng)

優(yōu)勢(shì)

測(cè)量垂直磁性介質(zhì)的2.5英寸和3.5英寸的硬盤

規(guī)格

主要功能

Kerr Loop Measurement and Mapping Measurement

(Polar Kerr Effect)

光源

Diode Laser

探測(cè)光斑

φ1mm (Typ.)

磁場(chǎng)

Max. ± 25kOe (2.5T)

“For Hard Disc” Soft Under Layer (SUL) Evaluation System

“硬盤”下軟層評(píng)估系統(tǒng)

優(yōu)勢(shì)

測(cè)量軟層下的2.5英寸和3.5英寸的硬盤

規(guī)格

主要功能

Kerr Loop Measurement and Mapping Measurement

(Longitudinal Kerr Effect)

光源

Diode Laser

探測(cè)光斑

φ1mm (Typ.)

磁場(chǎng)

Max. ± 3kOe (0.3T)