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臺灣EMT7065霍爾效應(yīng)儀
霍爾效應(yīng)儀可以測量Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)。EMT7065霍爾效應(yīng)儀運用先進(jìn)的Keithley電子儀表，和我們在極端的條件下能夠很好的整合一整套系統(tǒng)，我們的霍爾效應(yīng)儀溫度范圍可以達(dá)到4K-1000K，磁場可以升級到9T。
可以結(jié)合許多極端環(huán)境平臺：
從4K到1000K溫度不改變樣品架
制冷機(jī)溫度可達(dá)到1000K
寬泛的測量范圍無需跟換腔體進(jìn)行操作
堅固設(shè)計并安裝在冷卻器的上端，換樣品時不會接觸到。
許多標(biāo)準(zhǔn)的安裝配置可用-可定制適合你的冷端或者樣品架安裝配置
可以使用許多不同的封閉式和開放式循環(huán)制冷機(jī)
提供高溫系統(tǒng)以及溫度控制器
暫無數(shù)據(jù)！
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