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EMT2400常溫、77k霍爾效應測試儀
測量半導體薄膜Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材質的半導體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)。
樣品尺寸: | Up to 15 mm x 15 mm Optional for larger size |
標準樣品 | 無 |
測試溫度: | 室溫、77k |
載流子濃度(cm-3): | |
遷移率(): | 0.5 ~ 108 cm2/Volt.sec |
電阻率 (?.㎝): | 10-3 ～ 108 |
電流源: | ±100pA to ±1A |
電流分辨率 | 1.0 μA@50pA; 100.0μA@1nA |
**電壓 | ±210V@±105mA， ±21V@±1.05A (20W) |
霍爾電壓范圍: | ±5μV to ±200V |
輸入電壓范圍： | ±5μV to ±200V |
磁極間隙： | 20mm |
均勻度： | < ± 1% |
穩(wěn)定性: | 0.02%(one year) |
磁場強度: | 0.75T |
升級變溫霍爾系統(tǒng) | 4K~1000K |
升級電磁場 | 1T， 1.5T， 2T |
保修 | 一年質保 |
暫無數(shù)據(jù)！
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