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儀器簡(jiǎn)介：

軟X射線探測(cè)器分為AXUV系列，SXUV系列 ，UVG系列 這三個(gè)系列，其中AXUV系列適用于真空紫外、極紫外和軟X射線探測(cè)器。SXUV系列探測(cè)器是專門為高通量的光子探測(cè)設(shè)計(jì)的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和準(zhǔn)分子激光器。該系列二極管由超大規(guī)模集成電路制造而成。UVG系列PN結(jié)光電探測(cè)器可以實(shí)現(xiàn)100%的光生載流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。

技術(shù)參數(shù)：

AXUV系列

AXUV系列適用于真空紫外、極紫外和軟X射線探測(cè)器，由于不同于常見(jiàn)的pn結(jié)二極管，這些二極管沒(méi)有摻雜死區(qū)，加之零表面復(fù)合處理，可以在紫外/極紫外范圍內(nèi)，達(dá)到理想化的100%內(nèi)部量子效率轉(zhuǎn)化。

IRD還提供與Cr，W，Au，F(xiàn)e，Al等濾光片耦合的探測(cè)器，可以達(dá)到探測(cè)指定波長(zhǎng)的效果。

SXUV系列

由于在硅PN結(jié)光電二極管前耦合鉑硅化物入射窗，使得探測(cè)器可以探測(cè)超紫外光子（能量范圍4ev—12KeV）。這些探測(cè)器是專門為高通量的光子探測(cè)設(shè)計(jì)的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和準(zhǔn)分子激光器。該系列二極管由超大規(guī)模集成電路制造而成。

IRD還提供與Zr，Si3N4，Si，SiC，Mo，Al濾光片耦合的探測(cè)器，可以達(dá)到探測(cè)指定波長(zhǎng)的效果。

當(dāng)脈沖能量超過(guò)20mJ，IRD還開(kāi)發(fā)了帶衰減器的探測(cè)器，以減少UV/EUV脈沖射線對(duì)探測(cè)器的沖擊。

UVG系列

UVG系列PN結(jié)光電探測(cè)器可以實(shí)現(xiàn)100%的光生載流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。與傳統(tǒng)的二極管不同的是，這些二極管沒(méi)有摻雜死區(qū)，加之零表面復(fù)合處理，可以在紫外/極紫外范圍內(nèi)，達(dá)到理想化的100%內(nèi)部量子效率轉(zhuǎn)化

主要特點(diǎn)：

1.軟X射線可直接照射探測(cè)器，無(wú)需閃爍晶體做轉(zhuǎn)換

2.按可檢測(cè)X射線能量范圍不同及應(yīng)用的需要，分為AXUV，UVG和SXUV三大產(chǎn)品系列，*低可檢測(cè)0.04nm的軟X射線

3.快速響應(yīng)的探測(cè)器，響應(yīng)速度達(dá)到ps量級(jí)

4.多元陣列，積分放大電路，并可根據(jù)需要集成帶通濾光片

5.四象限位置傳感器（Quadrant PSD）