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硅晶圓作為集成電路基底材料，具有電阻率、氧碳含量可控的特點(diǎn)。單晶錠經(jīng)過(guò)線切割、磨片、拋光、清洗等工序的作用，得到具有特定厚度和幾何參數(shù)以及表面潔凈的硅晶片。主要用于邏輯芯片（Logic）、閃存芯片（3D NAND & Nor Flash）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)芯片（DRAM）、圖像傳感器（CIS）、顯示驅(qū)動(dòng)芯片（Display Driver IC）等，并在12英寸重?fù)缴榈碗娮杪?.3—3毫歐、重?fù)郊t磷低電阻率1.3毫歐上取得突破。
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