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原材料: AISiC(SiC含量15-70%可調)
成型工藝: CNC/模具鑄造+CNC
線膨脹系數(shù)7(CTEppm/°C)，密度3.0 g/cm3材料特性: 熱導率>200(W//mK)25'℃，
氣密性: 10^9atm-m3/s
執(zhí)行標準:GJB2440A-2006
尺寸精度: ±0.05mm
*小設計厚度:0.5mm
焊接方式:引線:金錫焊接;蓋板:金錫焊/平行封焊
鍍層處理: 化學鎳/化學鎳金，鍍層厚度鎳5.0-11.0um，金>1.3um
鹽霧時間: 48hrs
高溫考核:450'C15min
適用領域:功率電子、電力電子、功率微波、光電轉換、通信基站信號放大器、混合電路等領域
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