參考價格
1-5萬元型號
Model sigma-5+品牌
日本nps產地
日本樣本
暫無重現性：
300儀器原理：
其他分散方式：
100測量時間：
不限測量范圍：
300探測器：
不限加速電壓：
不限電子槍：
不限電子光學放大：
不限光學放大：
不限通道數：
不限誤差率：
不限波長準確度：
不限靈敏度：
100分辨率：
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寬測量范圍：可連接到Loresta GX，測量范圍為10??至10?Ω。
比較器功能：在屏幕上標注范圍外的測量結果的測定點。
粉末測量功能：要測量粉末的體積電阻率，只需將樣品放入探頭單元并將其放置在設備中即可。該裝置施加給定的壓力，同時測量粉末的電阻率和壓制密度。
測量范圍：10?2至10?Ω。
樣品尺寸：**300mm見方。
應用領域廣泛：適用于金屬、金屬薄膜、導電涂層、導電薄膜、片材等多種材料的電阻率測量。
膜厚和成分變化檢測：導電膜、金屬、ITO薄膜等的膜厚和成分的變化一目了然。
電子元件和材料開發(fā)：可用于電子元件和材料的開發(fā)和質量控制。
寬測量范圍：可連接到Loresta GX，測量范圍為10??至10?Ω。
比較器功能：在屏幕上標注范圍外的測量結果的測定點。
粉末測量功能：要測量粉末的體積電阻率，只需將樣品放入探頭單元并將其放置在設備中即可。該裝置施加給定的壓力，同時測量粉末的電阻率和壓制密度。
技術參數
測量范圍：10?2至10?Ω。
樣品尺寸：最大300mm見方。
功能與應用
應用領域廣泛：適用于金屬、金屬薄膜、導電涂層、導電薄膜、片材等多種材料的電阻率測量。
膜厚和成分變化檢測：導電膜、金屬、ITO薄膜等的膜厚和成分的變化一目了然。
電子元件和材料開發(fā)：可用于電子元件和材料的開發(fā)和質量控制。
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移動端
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