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SiC晶體的切片方法有：砂漿線切割、金剛線切割，以及激光隱切。其中，激光隱切技術將高能量脈沖激光束聚焦在SiC晶體內部，在設定深度處形成微小裂紋，然后通過面內掃描形成一個裂紋層，*后沿著該裂紋層剝離出晶片。與傳統(tǒng)線切割方法相比，激光隱切具有剝離速度快，切割損耗低，可切割超薄晶片，以及切割成本低等優(yōu)點。隨著SiC晶錠尺寸變大，尤其是8寸和12寸，激光隱切技術在SiC晶片加工中的優(yōu)勢更為明顯。
任意加工深度的球差矯正；
可多束分光；
兼容SiC/GaN/Ga2O3/金剛石等多種材料
穩(wěn)定可靠的光路結構；
7×24小時連續(xù)工作；
有效的溫漂抑制與補償
可重復定位精度 < 1μm；
實時高度補償；
融合激光控制與光譜成像
| 分類 | 項目 | 參數(shù) | |
|---|---|---|---|
| 外觀 | 主機尺寸 | 1500(L) X 1300(W) X 1800(H) | |
| 整機重量 | ~1.2T | ||
| 基本參數(shù)與控制方法 | 可加工尺寸 | 12寸 / 8寸 / 6寸 | |
| 激光功率 | 0.5~50W | ||
| 脈沖激光器壽命 | 20000小時（正常工作時間） | ||
| X/Y/Z軸行程 | 350mm/400mm/45mm | ||
| Y軸速度、加速度 | 500mm/s / 4000mm/s2 | ||
| 單片掃描時間 | 21min (6寸)；33min(8寸)；47min(12寸) | ||
| 測高精度 | 0.7μm | ||
| 聚焦深度控制 | 表面預掃描，加工時動態(tài)調整聚焦深度 | ||
| 球差矯正深度 | 300μm / 350μm / 400μm / 450μm / 500μm / 550μm | ||
| “小面”加工 | “小面” 光譜成像，自動分區(qū)差異化加工 | ||
| 晶體損耗 | 晶錠側+晶片側，總損耗厚度<100μm | ||
| 廠務要求 | 總電源 | 220V，5kW，50Hz | |
| 冷卻水 | 壓力：~0.1MPa；流量：~7L/min；溫度：18~25℃ | ||
| 壓縮空氣 | 壓力：>0.45MPa；流量：<0.1L/min | ||
| 型號 | 可加工尺寸 | 價格（含稅） | 貨期 |
|---|---|---|---|
| L08 | 8寸/6寸/4寸 | 196萬 | 1周 |
| L12 | 12寸/8寸 | 199萬 | 4周 |
暫無數(shù)據(jù)！
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