由浙江大學硅材料國家重點實驗室承擔完成的《新型UHV/CVD系統(tǒng)及器件級薄外延層生長與應用》和《新穎立式高真空MOCVD系統(tǒng)及GaN外延生長與應用》兩項成果11月9日通過浙江省科技廳主持的鑒定。
中科院半導體所王占國院士擔任鑒定委員會主任，來自復旦大學、山東大學等半導體材料和真空技術(shù)領(lǐng)域的著名專家學者一致認為，兩項成果完成了預期的各項任務與目標，研究成果處于國內(nèi)領(lǐng)先，達到國際先進水平，部分關(guān)鍵技術(shù)國際領(lǐng)先，具有推廣應用價值。
這兩項在葉志鎮(zhèn)教授主持下完成的重點研究項目歷時6年，并得到國家重點基礎(chǔ)發(fā)展規(guī)劃“973”項目、國家教育部科技重點項目、浙江省科技計劃項目及“211”工程的支持。
超高真空化學氣相沉積（UHV/CVD）設(shè)備是制備優(yōu)質(zhì)亞微米晶體薄膜、納米結(jié)構(gòu)材料、研制硅基高速高頻器件和納電子器件的關(guān)鍵的先進薄膜技術(shù)，它研發(fā)成功具有重要的科學意義和實際應用價值，現(xiàn)已在國內(nèi)得到推廣應用，已產(chǎn)生直接和間接經(jīng)濟效益數(shù)千萬元。該設(shè)備打破了同類設(shè)備依賴進口的被動局面，促進了超高真空CVD設(shè)備國產(chǎn)化，社會、經(jīng)濟效益顯著。
新穎的高真空MOCVD是生長優(yōu)質(zhì)寬禁帶化合物半導體GaN外延層、研制半導體藍光二極管（LEDs）、藍光激光器（LDs）關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)備成功研發(fā)和實用的藍光LED研制，這對于全彩色顯示、汽車電子、大容量通訊、手機彩屏顯示等藍光器件應用和半導體白光照明的巨大產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有十分重要的作用。
中科院半導體所王占國院士擔任鑒定委員會主任，來自復旦大學、山東大學等半導體材料和真空技術(shù)領(lǐng)域的著名專家學者一致認為，兩項成果完成了預期的各項任務與目標，研究成果處于國內(nèi)領(lǐng)先，達到國際先進水平，部分關(guān)鍵技術(shù)國際領(lǐng)先，具有推廣應用價值。
這兩項在葉志鎮(zhèn)教授主持下完成的重點研究項目歷時6年，并得到國家重點基礎(chǔ)發(fā)展規(guī)劃“973”項目、國家教育部科技重點項目、浙江省科技計劃項目及“211”工程的支持。
超高真空化學氣相沉積（UHV/CVD）設(shè)備是制備優(yōu)質(zhì)亞微米晶體薄膜、納米結(jié)構(gòu)材料、研制硅基高速高頻器件和納電子器件的關(guān)鍵的先進薄膜技術(shù)，它研發(fā)成功具有重要的科學意義和實際應用價值，現(xiàn)已在國內(nèi)得到推廣應用，已產(chǎn)生直接和間接經(jīng)濟效益數(shù)千萬元。該設(shè)備打破了同類設(shè)備依賴進口的被動局面，促進了超高真空CVD設(shè)備國產(chǎn)化，社會、經(jīng)濟效益顯著。
新穎的高真空MOCVD是生長優(yōu)質(zhì)寬禁帶化合物半導體GaN外延層、研制半導體藍光二極管（LEDs）、藍光激光器（LDs）關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)備成功研發(fā)和實用的藍光LED研制，這對于全彩色顯示、汽車電子、大容量通訊、手機彩屏顯示等藍光器件應用和半導體白光照明的巨大產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有十分重要的作用。
