中國粉體網(wǎng)訊  2019年12月27日上午，江蘇天科合達半導體有限公司投產(chǎn)儀式在徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳凰灣電子信息產(chǎn)業(yè)園內(nèi)拉開序幕。

（來源：網(wǎng)絡(luò)）

蒞臨投產(chǎn)儀式的有：中國科學院物理研究所黨委書記文亞；新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團科技局原局長田笑明；中國科學院大學黨委副書記高隨祥；國家集成電路產(chǎn)業(yè)大基金唯一管理機構(gòu)——華芯投資管理有限責任公司投資一部總經(jīng)理湯樹軍；北京天科合達半導體股份有限公司法人代表、總經(jīng)理，江蘇天科合達半導體有限公司董事長楊建；中國科學院物理所重點實驗室主任，北京天科合達半導體股份有限公司首席科學家陳小龍；日本高鳥公司副社長松田；江蘇中科漢韻半導體有限公司總經(jīng)理許恒宇；等一批半導體業(yè)內(nèi)精英、大咖共百余人參加了投產(chǎn)儀式。

現(xiàn)場與會領(lǐng)導及嘉賓參觀了江蘇天科合達生產(chǎn)車間，車間內(nèi)250臺（套）碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋設(shè)備的碳化硅襯底生產(chǎn)線早已安裝就緒，蓄勢待發(fā)。據(jù)悉，江蘇天科合達半導體項目總投資5億元，占地面積26000平方米，可實現(xiàn)年產(chǎn)4-8英寸碳化硅襯底6萬片，該項目順利建成投產(chǎn)標志著天科合達的碳化硅產(chǎn)業(yè)化進程跨出了關(guān)鍵的一步，同時也標志著我國第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進入一個嶄新的階段。

另據(jù)半導體行業(yè)觀察，為了發(fā)展碳化硅，天科合達在去年還收購了不少碳化硅專利。去年12月11日，天科合達發(fā)布公告，公司將購買股東中國科學院物理研究所獨有以及與公司共有部分專利。公告顯示，經(jīng)與中國科學院物理研究所協(xié)商，天科合達擬現(xiàn)金出資購買中國科學院物理研究所獨有以及與公司共有的碳化硅相關(guān)專利，該部分無形資產(chǎn)評估價值1021.81萬元，擬定收購價格為1021.81萬元。

北京天科合達半導體股份有限公司于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設(shè)立，目前注冊資本為10364.2866萬元，是一家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一，并于2017年4月10日掛牌新三板。

資料來源：寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、半導體行業(yè)觀察。

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除！