中國粉體網(wǎng)訊  王占國院士于1938年12月29日出生于中國河南省鎮(zhèn)平縣，是世界著名的半導體材料物理學家。王院士1962年畢業(yè)于南開大學物理系，并于同年到中國科學院半導體研究所工作至今。

王院士在半導體材料和材料物理領域取得了杰出的成就。在早期職業(yè)生涯中，他致力于人造衛(wèi)星用硅太陽能電池輻照效應以及和電子材料、器件和組件的靜態(tài)、動態(tài)和核瞬態(tài)輻照效應研究，為中國的兩彈一星事業(yè)做出了貢獻。

1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大學固體物理系，從事深能級物理和光譜物理研究。他和合作者一起提出了識別兩個深能級共存系統(tǒng)兩者是否是同一缺陷不同能態(tài)新方法，從而解決了長期處于爭論中的硅中金受主及金施主能級以及砷化鎵中A、B能級性質(zhì)的問題。

此外，王院士還建立了一種混晶半導體中深能級展寬和光譜譜線分裂的物理模型。他協(xié)助林蘭英院士首次在太空環(huán)境成功生長了砷化鎵單晶，1993年提出了砷化鎵電學補償五能級模型和電學補償新判據(jù)，不僅解釋了砷化鎵的電導率問題，而且為提高砷化鎵晶體質(zhì)量指出了方向。

從1993年開始，王院士及其團隊致力于半導體低維結構的生長和量子器件制備，研制成功量子級聯(lián)激光器、量子點激光器、量子點超輻射發(fā)光管等。他后來提出的柔性襯底的概念為發(fā)展大晶格失配的異質(zhì)外延指出了新的方向。

王占國院士獲得了許多國家級和中國科學院的獎項，并于1995年當選為中國科學院院士。他曾擔任中國科學院信息科學部副主任、第七屆中國科學院學部主席團成員、中國科學院半導體研究所副所長和中國材料學會副理事長等職務，先后培養(yǎng)了一百多位碩士、博士和博士后。

王占國院士在接受記者采訪時曾指出，基礎研究是原始創(chuàng)新的源泉，但目前我國尚未建成寬松的知識創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境，導致原始創(chuàng)新成果缺乏，基本上都是“跟著別人屁股后面走”。加之關鍵材料和工藝設備長期依賴進口，所生產(chǎn)的產(chǎn)品性價比不高，缺乏市場競爭力。這是造成我國第三代化合物半導體產(chǎn)業(yè)化進展緩慢的主要原因。

此外，科研機構的成果找不到資金，而有資金的企業(yè)需要的是馬上能賺錢的成果，這是一對天然的矛盾，至今仍然沒有得到解決。這也導致我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)尚未形成從材料、器件到整機應用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，國產(chǎn)元器件性能仍不穩(wěn)定。王院士認為，中國第三代化合物半導體產(chǎn)業(yè)化發(fā)展機遇大于挑戰(zhàn)，只要在國家的大力支持下，科研單位和相關企業(yè)的協(xié)作攻關，實現(xiàn)技術趕超世界先進水平是完全可能的。

資料來源：

半導體學報、高科技與產(chǎn)業(yè)化。

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