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三星已開始使用極紫外光刻技術(shù)量產(chǎn)14納米DRAM芯片


來源:TechWeb.com.cn

[導(dǎo)讀]  10月12日消息,據(jù)國外媒體報道,今日,存儲芯片制造商三星電子宣布,它已開始使用極紫外光刻(EUV)技術(shù)量產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片。

中國粉體網(wǎng)訊  10月12日消息,據(jù)國外媒體報道,今日,存儲芯片制造商三星電子宣布,它已開始使用極紫外光刻(EUV)技術(shù)量產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片。



三星電子表示,EUV技術(shù)減少了多圖案繪制中的重復(fù)步驟,提高了圖案繪制的準(zhǔn)確性,從而提高了性能和產(chǎn)量,縮短了開發(fā)時間。


利用最新的DDR5標(biāo)準(zhǔn),三星14納米DRAM將幫助解鎖前所未有的高達(dá)7.2Gbps的速度,這是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。


該公司表示,即將開始量產(chǎn)DDR5,并預(yù)計最新工藝將使生產(chǎn)率提高20%,功耗降低近20%。


據(jù)悉,三星是全球最大的存儲芯片和智能手機(jī)制造商之一。在近日舉辦的晶圓代工論壇上,該公司宣布,將從2025年開始量產(chǎn)2nm芯片,并計劃從2022年上半年開始生產(chǎn)客戶設(shè)計的3nm芯片,第二代3nm芯片預(yù)計將在2023年生產(chǎn)。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/星耀)

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