中國(guó)粉體網(wǎng)訊 1月30日，東臺(tái)高新區(qū)與無(wú)錫海古德新技術(shù)有限公司就“高性能氮化鋁陶瓷材料項(xiàng)目”在江蘇富樂(lè)華功率半導(dǎo)體研究院正式簽約！
該項(xiàng)目投資6億元，建成后年產(chǎn)氮化鋁基板720萬(wàn)片，氮化硅基板300萬(wàn)片。氮化鋁與氮化硅是當(dāng)今最炙手可熱的陶瓷基板材料。隨著功率器件特別是第三代半導(dǎo)體的崛起與應(yīng)用，半導(dǎo)體器件逐漸向大功率、小型化、集成化、多功能等方向發(fā)展，對(duì)封裝基板性能也提出了更高要求。
與其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷材料具有明顯優(yōu)勢(shì)，尤其是在高溫條件下氮化硅陶瓷材料表現(xiàn)出的耐高溫性能、對(duì)金屬的化學(xué)惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學(xué)性能。氮化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度、斷裂韌性都可達(dá)到AlN的2倍以上，特別是在材料可靠性上氮化硅陶瓷基板具有其他材料無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。氮化硅也被認(rèn)為是綜合性能最好的陶瓷材料。
氮化鋁是兼具良好的導(dǎo)熱性和良好的電絕緣性能少數(shù)材料之一，高熱導(dǎo)率是氮化鋁的突出特點(diǎn)，室溫時(shí)其理論導(dǎo)熱率最高可達(dá)320W/(m•K)，是氧化鋁陶瓷的8～10倍，實(shí)際生產(chǎn)的熱導(dǎo)率也可高達(dá)200W/(m•K)，有利于LED中熱量散發(fā)，提高LED性能，在電子封裝對(duì)熱導(dǎo)率的要求方面，氮化鋁優(yōu)勢(shì)巨大。
據(jù)了解，該項(xiàng)目源于清華大學(xué)國(guó)家863科技成果，并由無(wú)錫海古德新技術(shù)有限公司投資建設(shè)。無(wú)錫海古德新技術(shù)有限公司是一家擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、高科技專利技術(shù)，集新型陶瓷材料及其電子元件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的現(xiàn)代化高新技術(shù)企業(yè)。核心產(chǎn)品高性能氮化鋁（AlN）陶瓷材料、氮化硅（Si3N4）陶瓷基板及其元器件。
參考來(lái)源：東臺(tái)高新區(qū)公眾號(hào)、中國(guó)粉體網(wǎng)
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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