中國粉體網(wǎng)訊  3月27日，嘉興國家高新區(qū)（高照街道）一季度重大項目集中簽約儀式舉行，現(xiàn)場有四個重大項目簽約浙江。

其中，總投資約52億元的瓷新半導體材料總部項目計劃建設年產(chǎn)3000萬片的氮化硅基板及3000萬片氮化硅覆銅板，項目投產(chǎn)后將有效填補國內高端氮化硅陶瓷材料產(chǎn)業(yè)空白，進一步完善高新區(qū)汽車功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈，推動秀洲芯片產(chǎn)業(yè)做大做強。

Si₃N₄具有高導熱、高強度、高韌性、低密度、自潤滑性、優(yōu)異的抗熱震性，是國內外公認兼具高導熱、高可靠性等綜合性能最好的陶瓷基板材料，適用于IGBT、SiC等對大功率半導體器件等要求高可靠性的絕緣電路板用途。據(jù)ICR World數(shù)據(jù)顯示，得益于新能源車的快速發(fā)展，2026年，全球氮化硅陶瓷基板行業(yè)總產(chǎn)值預計達1.83億美元, 全球市場復合增長率達到8.16%。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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