中國粉體網訊  拋光墊表面結構特性（粗糙度、溝槽形狀等）、材質（硬度、彈性模量等）是影響CMP的重要因素，拋光墊直接影響晶片的拋光效果。

拋光墊表面結構特性

拋光墊表面微形貌

拋光墊通常表面充滿微孔，可用于儲存運輸拋光液和磨料顆粒，并且能耐受拋光液中化學物質的侵蝕，能及時排除拋光產物，從而對材料去除產生影響。

基于拋光墊的結構特點，將主流的商用拋光墊分為網狀型（阻尼布）、纖維型（合成革）、微孔型（聚氨酯）三類。網狀墊相比于其他兩種拋光墊具有更好的壓縮性和更佳的拋光液攜帶能力，而硬度也比較低，因此用于在精拋過程中不易產生劃痕，纖維型和聚氨酯兩類由于特有的硬度和結構，多用于粗拋和非金屬材料的拋光。

微孔幾何形狀及分布會影響拋光墊的表面強度與密度。拋光墊的孔隙率及密度等多孔性特征主要通過泊松比（ν）反映，孔隙率越，高泊松比越低。拋光墊表面強度隨著孔隙率的增加而減小�？讖皆酱笃溥\輸能力越強，但孔徑過大時會影響拋光墊的密度和強度。

拋光墊微孔尺寸以及結構的改變也會對拋光效果產生影響，優(yōu)化拋光墊表面微孔結構可以改善拋光墊與晶圓片的接觸狀態(tài)，探尋界面機械作用載荷和界面拋光液化學反應的協(xié)同關系，可以更好提升對CMP材料去除率的控制效果。

拋光墊表面溝槽紋理

拋光墊表面開槽一方面提高拋光墊儲存、運送拋光液能力，改善拋光液的流動性；另一方面可改善墊表面的摩擦系數(shù)和剪切應力。下表為Rohm Haas生產的IC系列拋光墊的典型溝槽，它是芯片制造工業(yè)上廣泛應用的拋光墊。經對比可發(fā)現(xiàn)，IC1010相比于IC1000有更深的溝槽和更密集的溝槽形狀，使得拋光墊粗糙峰、拋光液磨粒的機械作用和拋光液化學作用越強，材料去除能力更高。

不同拋光墊幾何參數(shù)對比

常見的溝槽形式有放射型、網格型、圓環(huán)型以及螺旋對數(shù)型等。下圖中，（a）~（d）為單一型拋光墊，（e）~（g）為復合型拋光墊。復合型拋光墊普遍比單一型拋光墊效果更優(yōu)，負螺旋對數(shù)型拋光墊可顯著提升拋光速率。

常見的溝槽形式

拋光墊微凸體

拋光墊表面粗糙凸起部分具有彈性以免導致晶片表面產生過多不可修復性劃痕，拋光墊的微觀表面高度輪廓呈高斯分布或指數(shù)分布。

拋光墊凸起的平均高度（RPK）強烈影響材料去除率（MRR）的變化。在沒有進行墊修整的情況下，MRR隨著拋光時間的延長而降低，如果RPK通過墊修整恢復，則MRR將恢復到原始水平附近。拋光過程中的拋光墊磨損和隨后的拋光墊修整工序導致實際拋光墊的粗糙度不斷變化，拋光墊粗糙度、凸起直徑和粗糙度分布的變化對MRR有直接影響。

拋光墊材質特性

拋光墊材料物理和化學性能將會影響拋光界面（晶片-拋光液-拋光墊界面）的接觸狀態(tài)和接觸力，從而影響材料去除速率及晶片表面粗糙度。

力學性能參數(shù)

硬度和彈性模量是拋光墊力學性能的兩個重要參數(shù)。硬質拋光墊應用于有高去除速率需求的粗拋階段，但硬度過高則容易引起表面損傷和材料去除不均勻等問題；軟質拋光墊一般應用在有低粗糙度需求的精拋階段。上硬下軟的拋光墊能改善MRR的均勻性，但邊界排斥區(qū)域較大，而上軟下硬的拋光墊可以減小邊緣排斥區(qū)域獲得較好的表面質量。

化學特性

拋光墊應具有良好的化學穩(wěn)定性和親水性。CMP拋光墊生產中的化學反應多為多羥基化合物與異氰酸鹽合成，生產CMP拋光墊的主要原料有預聚體、擴鏈交聯(lián)劑、發(fā)泡劑、催化劑以及其他功能性助劑。通過控制反應物濃度以及配比可以改進拋光墊不同方面的材料性能。同時拋光墊中的活性基團作用也不可或缺，拋光墊中含有一些活性基團，如羥基、酰胺基，這些活性基團提高了拋光材料的再沉積層，改善了機械磨損產生表面質量差的問題。此外，對墊材料的物理化學改性也可以提升使用效能。

參考來源：

[1] 梁斌等，CMP拋光墊表面及材料特性對拋光效果影響的研究進展

[2] 王同慶等，拋光墊特性及其對300 mm晶圓銅化學機械拋光效果的影響研究

[3] 曹威等，化學機械拋光墊的研究進展

（中國粉體網編輯整理/山林）

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