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團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》發(fā)布!


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》發(fā)布。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  2025年8月1日,中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)發(fā)函,批準(zhǔn)發(fā)布團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》,并予以公示,團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)為“T/CEMIA 049-2025”,實(shí)施日期是2025年11月1日。



該團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)適用于純度不低于99.9999wt%(6N)的晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體,規(guī)定了晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及貯存。


近年來(lái),制備高純SiC粉料逐漸成為SiC單晶生長(zhǎng)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。生長(zhǎng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高,雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%,此外,碳化硅粉料的各項(xiàng)參數(shù)都直接影響單晶生長(zhǎng)的質(zhì)量以及電學(xué)性能。而碳化硅襯底使用環(huán)境的不同,生長(zhǎng)用粉料合成技術(shù)也存在工藝不同,對(duì)于N型導(dǎo)電性單晶生長(zhǎng)用粉料,要求純度高、物相單一;而對(duì)于半絕緣型單晶生長(zhǎng)用粉料,則需要對(duì)氮含量進(jìn)行嚴(yán)格的控制。


然而,由于缺乏統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),各企業(yè)對(duì)粉體指標(biāo)要求不一,導(dǎo)致原料質(zhì)量不穩(wěn)定,阻礙了下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展。因此,由中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)粉體技術(shù)分會(huì)提出制定《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),規(guī)范碳化硅粉體質(zhì)量,滿足行業(yè)需求,以此推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)提升和健康發(fā)展。



該團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體標(biāo)準(zhǔn)的空白,通過(guò)統(tǒng)一關(guān)鍵指標(biāo)(如純度、雜質(zhì)限值、粒度等),將顯著提升國(guó)產(chǎn)粉體質(zhì)量和一致性,降低下游晶體生長(zhǎng)環(huán)節(jié)的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)與驗(yàn)證成本,加速國(guó)產(chǎn)高純碳化硅粉體的應(yīng)用和替代進(jìn)程,有力支撐我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控與高質(zhì)量發(fā)展。


來(lái)源:中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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