中國粉體網(wǎng)訊  2025年8月21日，由中國粉體網(wǎng)主辦的“第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會”在蘇州·白金漢爵大酒店成功召開！大會期間，中國粉體網(wǎng)記者有幸邀請到多位專家、企業(yè)界代表做客我們的“對話”欄目暢談碳化硅半導(dǎo)體前沿技術(shù)、裝備與產(chǎn)業(yè)化進展，共同展望這一戰(zhàn)略性材料的無限潛能。本期為您分享的是杭州晶馳機電有限公司研發(fā)經(jīng)理趙聰?shù)膶ＴL。

杭州晶馳機電有限公司研發(fā)經(jīng)理趙聰

中國粉體網(wǎng)：趙經(jīng)理，您好，請問公司關(guān)于碳化硅主要有哪些不同功能類型的設(shè)備？

趙經(jīng)理：公司碳化硅系列設(shè)備主要包括碳化硅晶體生長爐、外延爐、熱壓爐、退火爐、晶片腐蝕爐等。晶體生長爐是采用物理氣相傳輸法（PVT）生長高品質(zhì)SiC晶體的設(shè)備，包括感應(yīng)式和電阻式兩種類型的設(shè)備我們都在銷售；外延爐是采用低壓化學氣相沉積（LPCVD）在SiC襯底上生長高質(zhì)量同質(zhì)外延薄膜的設(shè)備，有水平式和立式兩種爐型都在銷售；熱壓爐是將籽晶與石墨托牢固粘接和碳化的設(shè)備；退火爐是用于碳化硅晶錠和碳化硅晶片的高溫退火的設(shè)備，主要作用是降低晶片缺陷和應(yīng)力；晶片腐蝕爐是采用濕法化學腐蝕，集腐蝕、清洗、烘干為一體的自動化設(shè)備。

中國粉體網(wǎng)：公司最新的碳化硅單晶生長設(shè)備，其在性能上有哪些突出優(yōu)勢或者比較之前的設(shè)備有哪些技術(shù)升級？

趙經(jīng)理：設(shè)備具有兩個溫區(qū)的配置，更符合PTV法下部粉料高溫升華，上部籽晶低溫結(jié)晶的物理過程；兩個溫區(qū)相互獨立可控，既可實現(xiàn)溫控又可以實現(xiàn)功率控制；采用上下溫度控制，不用考慮保溫的老化問題，可以實現(xiàn)工藝的簡單和標準化，爐次的一致性比較好，單晶生產(chǎn)良率高。獨特的熱場保溫設(shè)計，保證不存在熱場石墨件的打火現(xiàn)象，熱場穩(wěn)定性高，使用壽命長，設(shè)備功率因數(shù)達到90%以上，設(shè)備能耗低�？蓪崿F(xiàn)生長坩堝的旋轉(zhuǎn)，保證晶體生長的熱場均勻；坩堝慢提拉功能保證晶體生長面始終處于合適的生長位置，保證晶體的面形。自主開發(fā)的加熱電源分級設(shè)置，不同分級適用不同熱場；爐子完全兼容6寸，8寸和12寸導(dǎo)電型，半絕緣型和光學級晶體生長，客戶只需一次設(shè)備投入，從容面對市場需求和市場變化。

中國粉體網(wǎng)：公司的碳化硅晶片腐蝕爐，可以介紹下工藝流程嗎？

趙經(jīng)理：主要工藝流程可按腐蝕-噴淋-清洗-烘干這四個步驟。設(shè)備采用四工位設(shè)計，全封閉工作臺和強排風系統(tǒng)，有效防止腐蝕性堿蒸汽對操作人員的身體傷害。該系統(tǒng)集SiC晶片熱強堿腐蝕、快速清洗，再次超聲清洗和晶片烘干為一體，充分避免了操作人員與腐蝕性強堿溶劑的接觸。整個工藝流程全部自動化控制，操作人員只需完成取放片操作，腐蝕效率高，適合產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

中國粉體網(wǎng)：目前碳化硅設(shè)備研發(fā)方面存在哪些技術(shù)難點？

趙經(jīng)理：我公司的核心技術(shù)有特氣混合進氣技術(shù)、穩(wěn)定流場及熱場的控制技術(shù)、高溫取片技術(shù)、腔體防沉積技術(shù)、同爐多層結(jié)構(gòu)摻雜技術(shù)等；長晶設(shè)備主要是電阻法單晶爐在石墨加熱器設(shè)計方面，感應(yīng)法單晶爐需要考慮線圈規(guī)格尺寸與電源及熱場的匹配性；外延設(shè)備難點主要在熱場設(shè)計，電阻加熱與感應(yīng)加熱的取舍，以及溫控精度，氣體流場設(shè)計確保氣體的均勻性等。腐蝕爐有強堿溶液的測溫、溫控精度、堿溶液層間溫度均勻性控制等技術(shù)難點。

中國粉體網(wǎng)：針對碳化硅設(shè)備的市場需求，公司接下來有哪些產(chǎn)品布局計劃？

趙經(jīng)理：長晶設(shè)備自動化產(chǎn)線，外延設(shè)備多腔體多層外延層定制化，腐蝕爐設(shè)備個性化訂制還有大尺寸金剛石設(shè)備等。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/石語）

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