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【原創(chuàng)】玻璃基板:賦能先進封裝的新選擇


來源:中國粉體網(wǎng)   月明

[導讀]  玻璃基板正成為突破封裝技術(shù)瓶頸的重要解決方案

中國粉體網(wǎng)訊  在半導體先進封裝領(lǐng)域,隨著多芯片集成與異構(gòu)集成需求的不斷攀升,傳統(tǒng)基板材料逐漸難以滿足高密度互連、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性等核心要求。玻璃基板憑借獨特的材料性能與工藝潛力,正成為突破封裝技術(shù)瓶頸的重要解決方案,其在結(jié)構(gòu)設(shè)計、制造流程及高密度互連技術(shù)上的創(chuàng)新,為高性能芯片封裝提供了新路徑。

 

玻璃基板的核心競爭優(yōu)勢源于其獨特的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計。該結(jié)構(gòu)以玻璃為核心層材料,在核心層上下表面構(gòu)建高密度、細間距金屬布線,布線通過電鍍銅或鎢填充形成,細間距區(qū)域則采用薄膜沉積氧化硅作為介質(zhì)層實現(xiàn)絕緣。這種設(shè)計可實現(xiàn)比傳統(tǒng)基板更精細的線寬線距與更高的布線密度,為多芯片間局部高密度互連提供支撐。同時,玻璃基板支持通過倒裝方式實現(xiàn)芯片與基板金屬焊盤的互連,還能在基板內(nèi)部集成電阻、電容、電感等無源組件,進一步提升封裝集成度。

 

從材料性能對比來看,玻璃在關(guān)鍵參數(shù)上顯著優(yōu)于傳統(tǒng)基板材料,其表面粗糙度低于10nm,熱膨脹系數(shù)可在3×10-6~9×10-6K-1之間靈活調(diào)節(jié),楊氏模量達50~90GPa,且吸濕性接近于零。這些特性使其在微細布線加工、熱應(yīng)力控制及結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性方面表現(xiàn)突出,有效解決了傳統(tǒng)有機材料層壓板(如BT、ABF類)在高精度封裝中的短板。

 

在封裝尺寸上,玻璃基板可實現(xiàn)100mm×100mm的大尺寸加工,為多芯片集成與系統(tǒng)級封裝(SiP)設(shè)計提供了更大空間。此外,玻璃面板在面積利用率上的優(yōu)勢也十分顯著,515mm×510mm、650mm×550mm規(guī)格的玻璃面板,有效面積分別是12英寸硅晶圓的3.6倍與4.9倍,大幅提升了單位產(chǎn)能與封裝效率,為芯粒整合創(chuàng)造了有利條件。

 

在高密度互連技術(shù)領(lǐng)域,玻璃基板已形成多類成熟工藝方案,以匹配不同精度需求。當前主流工藝可分為以下三類:

 

硅基半加成工藝:以TSMC、ASE、Intel為代表,核心是在晶圓表面制備重布線層(RDL)。流程為濺射鈦/銅黏附層與種子層,旋涂PR光刻膠(如JSR111)并曝光露出電鍍區(qū)域,最終通過電鍍、濕法去膠、濕法刻蝕完成線路制作。該工藝對種子層黏附性、電鍍均勻性、藥液交換效率要求較高,成本相對較低,適用于線寬/線距≥5μm/5μm的產(chǎn)品。

 

無機介質(zhì)層大馬士革工藝:以Amkor為代表,專注于亞微米級金屬布線。先沉積無機介質(zhì)層并開窗,再整面電鍍金屬,最后通過化學機械拋光(CMP)去除覆銅層。金屬布線嵌入介質(zhì)層的設(shè)計可增強與基材結(jié)合力,為實現(xiàn)線寬/線距≤2μm的細間距RDL提供解決方案。

 

半導體硅基精密工藝:依托半導體硅工藝技術(shù),通過剝離、離子束刻蝕(IBE)、溝槽加工等技術(shù)實現(xiàn)精密圖案化。可將線寬與線距均控制在≤2μm,顯著提升互連密度,但對生產(chǎn)條件、設(shè)備配置、制造尺寸要求嚴苛,導致成本較高。

 

 

玻璃表面布線加工路線及高密度布線樣品 來源:《玻璃基板技術(shù)研究進展》(趙瑾等)

 

行業(yè)實踐已驗證玻璃基板在高密度互連領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。臺積電利用數(shù)字光刻與低溫濺射技術(shù),在37cm×47cm玻璃基板上成功堆疊5層RDL,最小線寬達3μm,采用PSPI聚合物作為介質(zhì)層,側(cè)壁傾角約71°,翹曲控制在0.2mm以內(nèi);廈門云天半導體則通過大馬士革工藝,在玻璃正面制備出5層無機薄膜介質(zhì)的RDL互連堆疊結(jié)構(gòu),最細線寬可達1.5μm。這些成果表明,玻璃基板可通過TGV(玻璃通孔)實現(xiàn)垂直互連,配合高密度RDL滿足高I/O、高帶寬的封裝需求。

 

 

最小RDL線寬為1.5μm的5層RDL堆疊結(jié)構(gòu) 來源:云天半導體

 

隨著人工智能、高性能計算領(lǐng)域?qū)π酒懔Φ男枨蟪掷m(xù)攀升,先進封裝技術(shù)正朝著高集成度、高可靠性的方向加速演進。在此趨勢下,玻璃基板憑借材料性能、工藝靈活性與集成潛力的綜合優(yōu)勢,有望在未來半導體封裝領(lǐng)域占據(jù)更關(guān)鍵的地位。

 

參考來源:

趙瑾.玻璃基板技術(shù)研究進展

張興治.玻璃基板在芯片封裝中的應(yīng)用和性能要求

劉麗敏.基于超薄玻璃襯底的橋連封裝技術(shù)研究

 

(中國粉體網(wǎng)編輯整理/月明)

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