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VSP-G1 納米粒子發(fā)生器是一臺桌面式儀器，用于生成尺寸范圍為 1 – 20 nm 的純金屬、金屬氧化物或合金納米氣溶膠材料。納米顆粒的生產完全在氣相中進行，因此無需使用表面活性劑或前驅體。用于納米粒子生產的源材料是由所需材料制成的兩根靶材（電極）。使用時只需安裝電極并設置參數(shù)，按下按鈕即可開始生成納米粒子。所有 VSPARTICLE 產品均采用模塊化設計，因此 VSP-G1 納米粒子發(fā)生器既可以用作獨立的納米氣溶膠源，也可以與不同的沉積模塊結合使用。

獲得不同組分的納米材料是納米研究的關鍵，利用VSP-G1配合不同的電極可以產生雙金屬、納米合金或在塊狀狀態(tài)下不混溶的材料等粒子?；鸹g可以在放電通道產生高達20000K的瞬時高溫，足以克服塊體材料的宏觀不溶性，產生更多的材料可能性?；旌蟽蓚€純電極或使用合金電極可以通過成分控制調整材料組分。類似地，通過并聯(lián)或串聯(lián)運行兩個 VSP-G1，每個 VSP-G1 使用不同的電極材料，*后產生分層結構的材料（例如，分層結構、核-殼或異質結構）

VSP-G1 *有價值的一點是能夠調整所生產納米粒子的平均粒徑。這是通過改變氣體流速來實現(xiàn)的，當然這會影響納米顆粒在反應器內的停留時間。 較低的流速通過為初級顆粒提供更多的時間來凝并，從而導致較大的平均粒徑，而較快的流速可產生較小的顆粒。根據(jù)準備的樣品類型（例如 TEM 網格或多孔涂層），還可以調整總功率以改變產率。更高的電壓/電流組合帶來更高的燒蝕率和更大的顆粒。 氣溶膠技術區(qū)別與其它真空氣相技術的**特點便是在常壓下利用氣體有效影響納米顆粒的生長與傳輸過程。

采用模塊化設計，VSP-G1 納米粒子發(fā)生器可輕松與沉積裝置結合使用，以制備先進的納米材料?；跀U散、過濾或沖擊技術，有不同的沉積模塊可用。

產品優(yōu)勢

VSP-G1 納米粒子發(fā)生器是一臺桌面式儀器，用于生成尺寸范圍為 1 – 20 nm 的純金屬、金屬氧化物或合金納米氣溶膠材料。納米顆粒的生產完全在氣相中進行，因此無需使用表面活性劑或前驅體。用于納米粒子生產的源材料是由所需材料制成的兩根靶材（電極）。使用時只需安裝電極并設置參數(shù)，按下按鈕即可開始生成納米粒子。所有 VSPARTICLE 產品均采用模塊化設計，因此 VSP-G1 納米粒子發(fā)生器既可以用作獨立的納米氣溶膠源，也可以與不同的沉積模塊結合使用。