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賽默飛(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡
賽默飛(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡

參考價格

面議

型號

Helios 5 DualBeam FIB

品牌

賽默飛世爾科技

產(chǎn)地

捷克

樣本

暫無
北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司

金牌會員

|

第7年

|

代理商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 探測器:

    見參數(shù)
  • 加速電壓:

    500 V – 30 kV
  • 電子槍:

    見參數(shù)
  • 電子光學(xué)放大:

    見參數(shù)
  • 光學(xué)放大:

    見參數(shù)
  • 分辨率:

    0.6 nm@15 keV、1.0 nm@1 keV
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    新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產(chǎn)品系列業(yè)界**的高性能成像和分析性能。它經(jīng)過精心設(shè)計,可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對*廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是**挑戰(zhàn)性的樣品。


    Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn):**的材料對比度,*快、*簡單、*精確的高質(zhì)量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及**質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化,所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動或自動工作流程的**運(yùn)行狀態(tài)。


半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù):



<


Helios 5 CXHelios 5 HPHelios 5 UXHelios 5 HXHelios 5 FX

樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像*終樣品制備 (TEM薄片,APT)STEM 亞納米成像與樣品制備
SEM著陸電壓20 eV~30 keV20 eV~30 keV

分辨率

0.6 nm@15 keV0.6 nm@2 keV


1.0 nm@1 keV0.7 nm@1 keV



1.0 nm@500 eV
STEM分辨率@30 keV0.7 nm0.6 nm0.3 nm
FIB制備過程**材料去除束流65 nA100 nA65 nA
*終**拋光電壓2 kV500 V
TEM樣品制備樣品厚度50 nm15 nm7 nm
自動化
樣品處理行程

110×110

×65 mm

110×110

×65 mm

150×150

×10 mm

100×100

×20 mm

100×100×20mm+5軸(S)TEM Compustage
快速進(jìn)樣器手動自動手動自動自動+自動插入/提取STEM 樣品桿





材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù):


<



Helios 5 CXHelios 5 UX
離子光學(xué)
具有**的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒具有**的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒
離子束電流范圍1 pA – 100 nA1 pA – 65 nA
加速電圧500 V – 30 kV500 V – 30 kV
**水平視場寬度在束重合點(diǎn)處為0.9 mm在束重合處點(diǎn)為0.7 mm
離子源壽命1,000 小時1,000 小時

兩級差分抽吸兩級差分抽吸
飛行時間校準(zhǔn)飛行時間校準(zhǔn)
15孔光闌15孔光闌
電子光學(xué)Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒
磁浸沒物鏡磁浸沒物鏡
高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流
電子束分辨率**工作距離下0.6 nm @ 30 kV STEM0.6 nm @ 30 kV STEM
0.6 nm @ 15 kV0.7 nm @ 1 kV
1.0 nm @ 1 kV1.0 nm @ 500 V (ICD)
0.9 nm @ 1 kV 減速模式*
在束流重合點(diǎn)0.6 nm @ 15 kV0.6 nm @ 15 kV
1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS*1.2 nm @ 1 kV
電子束參數(shù)電子束流范圍0.8 pA ~ 176 nA0.8 pA ~ 100 nA
加速電壓范圍200 V ~ 30 kV350 V ~ 30 kV
著陸電壓20 eV ~ 30 keV20 eV ~ 30 keV
**水平視場寬度2.3 mm @ 4 mm WD2.3 mm @ 4 mm WD
探測器Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE)
Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (ICD)*
Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測器 (MD)*
樣品室內(nèi) Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD)
紅外相機(jī)
高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測器 (SE)*
樣品室內(nèi) Nav-Cam 導(dǎo)航相機(jī)*
可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測器 (DBS)*
可伸縮STEM 3+ 探測器*
電子束流測量
樣品臺和樣品樣品臺高度靈活的五軸電動樣品臺壓電陶瓷驅(qū)動 XYR 軸的高精度五軸電動工作臺
XY110 mm150 mm
Z65 mm10 mm
R360° (連續(xù))360° (連續(xù))
傾斜-15° ~ +90°-10° ~ +60°
**樣品高度與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 85 mm與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 55 mm
**樣品質(zhì)量樣品臺任意位置 500 g樣品臺任意位置 500 g
 0° 傾斜時** 5 kg
**樣品尺寸直徑 110 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時直徑 150 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時

優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜

    更易于使用:

    Helios 5 對所有經(jīng)驗(yàn)水平用戶而言都是*容易使用的 DualBeam 系統(tǒng)。操作人員培訓(xùn)可以從幾個月縮短到幾天,其系統(tǒng)設(shè)計可幫助所有操作人員在各種高級應(yīng)用程序上實(shí)現(xiàn)一致、可重復(fù)的結(jié)果。


    提高了生產(chǎn)率:

    Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的先進(jìn)自動化功能,增強(qiáng)的可靠性和穩(wěn)定性允許無人值守甚至夜間操作,顯著提高樣品制備通量。


    改善時間和結(jié)果:
    Helios 5 DualBeam 引入全新精細(xì)圖像調(diào)節(jié)功能 FLASH (閃調(diào))技術(shù)。借助 FLASH 技術(shù),您只需在用戶界面中進(jìn)行簡單的鼠標(biāo)操作,系統(tǒng)即可“實(shí)時”進(jìn)行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡化高質(zhì)量圖像的采集。平均而言,F(xiàn)LASH 技術(shù)可以使獲得優(yōu)化圖像所需的時間*多縮短 10 倍。


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產(chǎn)品質(zhì)量

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10分

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性價比

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賽默飛(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡信息由北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司為您提供,如您想了解更多關(guān)于賽默飛(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡報價、型號、參數(shù)等信息,歡迎來電或留言咨詢。
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