純度：
99.99%目數(shù)：
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產(chǎn)品介紹
高純度納米氧化鋁粉為化學法合成，具有 α相含量高、純度高(99.99%)、燒結活性好、原晶小 （100nm）粒徑小（～150nm）、分布窄等特點。與普通氧化鋁相比，可以在更低溫度燒結， 1300℃真密度 近3.94g/cm3 ，1500℃達到3.96g/cm3,與日本產(chǎn)品相當。產(chǎn)品優(yōu)勢：更低燒結溫度、更高抗彎強度及韌性、更低表面粗糙度、更低磨耗
產(chǎn)品參數(shù)
型 號 | RT-0701S150 | RT-SG150GQ | RT-SG40M150GQ | ||
外 觀 | 白色粉末 | ||||
晶 型 | ɑ相 | ||||
二次粒徑 | D50(μm） | 0.15-0.2 | |||
比表面積 | m2/g | 10 - 20 | |||
堆積密度 | g/cm3 | 1.0-1.2 | |||
純度 | % | >99.99 | |||
適合成型方式 | 濕法 | 干法濕法 | 干法 | ||
用途 | 基板、CMC、透明陶瓷等 | 全品類 | 高純陶瓷球 | ||
燒結參數(shù)
等靜壓強度 | MPa | 150 |
燒結溫度 | ℃ | 1310 |
燒結密度 | g/cm3 | 3.94 |
截面晶粒大小 | um | 0.5 |
收縮率 | % | 17 |
抗彎強度 | MPa | 600 |
等靜壓150MPa 不同溫度燒結真密度和線性收縮率
應用領域
透明陶瓷 生物骨骼 陶瓷基板
更低燒結溫度、更高抗彎強度及韌性、更低表面粗糙度、更低磨耗
第三代半導體相比于第一、二代半導體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。其中碳化硅應用更為廣泛。&nbs
氧化鋁陶瓷基復合材料（CMC），作為耐高溫新型復合材料，具有高強度、高韌性、耐高溫、耐腐蝕等特點，在火箭尾部噴管、發(fā)動機葉片、剎車片等領域得到應用。CMC主要制作方法有化學氣相滲透法、先驅體浸漬裂解法
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