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芬蘭PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機P-200S Pro ALD

技術(shù)參數(shù)

襯底尺寸和類型：

。50 – 200 mm /單片

。156 mm x 156 mm 太陽能硅片

。150 mm x 150 mm 顯示面板

工藝溫度：50 - 500 °C ， 可選更高溫度

基片傳送選件 ：

。氣動升降（手動裝載）

。半自動裝載，用PICOPLATFORM™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)

。25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)

標準： SEMI S2 認證（認證中）

前驅(qū)體：

。 液態(tài)， 固態(tài)， 氣態(tài)， 臭氧源， 等離子體（*多4路氣體）：

。前驅(qū)源余量傳感器，并提供清洗和裝源服務(wù)

。6根獨立源管線，*多加載12個前驅(qū)體源（加上Plasma管路，共7根獨立源管線）

重量 ：790 kg

尺寸 ：(W x H x D) 160 cm x 80 cm x 240 cm

可選件 ：集群工具， PICOFLOW™ 擴散增強器， 集成橢偏儀， QCM， RGA， N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設(shè)計，與工廠軟件連接服務(wù)。

驗收標準 ：。標準設(shè)備驗收標準為 Al2O3 工藝，

。其他工藝可具體協(xié)商：其他工藝、應(yīng)用具體驗收標準如：

- 不均勻性

- 顆粒物含量

- 重金屬污染

- 電學(xué)性能

一個PICOPLATFORM™ 200真空集群系統(tǒng)由兩臺PICOSUN™ P-200S ALD設(shè)備組成，帶等離子體源PICOPLASMA™。