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芬蘭PICOSUN標(biāo)準(zhǔn)型原子層沉積機(jī)R-200

技術(shù)參數(shù)

。襯底尺寸和類型 50-200 mm /單片

。156 mm x 156 mm太陽能硅片

。3D 復(fù)雜表面襯底

。粉末與顆粒

。多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品

。工藝溫度 ：50 - 500 °C ， 可選更高溫度

?；瑐魉瓦x件 ：氣動升降（手動裝載） ，預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手（Load lock ）

。前驅(qū)體 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源 ，4根獨(dú)立源管線，*多加載6個(gè)前驅(qū)體源

。重量 ：350 kg

。尺寸： (W x H x D) 取決于選件

-*小146 cm x 146 cm x 84 cm

-**189 cm x 206 cm x 111 cm

。選件 ：PICOFLOW™擴(kuò)散增強(qiáng)器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2 發(fā)生器，尾氣處理器，定制設(shè) 計(jì)，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載）

。驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn) ：標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3工藝

PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)**的均勻性，包括**挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。

我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度*小的薄膜層。 在*基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。