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原位薄膜應(yīng)力儀
原位薄膜應(yīng)力儀

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全球先進(jìn)的原位薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng),又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀!MOS美國(guó)**技術(shù)(**號(hào)US 7,391,523 B1)!曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee!

采用非接觸激光MOS技術(shù);不但可以準(zhǔn)確的對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;客戶(hù)可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量;并且這種設(shè)計(jì)可以保證所有陣列的激光光點(diǎn)一直在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府(如:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國(guó)計(jì)量科學(xué)院等)、半導(dǎo)體制和微電子造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用;

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薄膜應(yīng)力儀(薄膜應(yīng)力測(cè)量?jī)x):為獨(dú)立測(cè)量系統(tǒng),同樣采用先進(jìn)的MOS技術(shù),詳細(xì)信息請(qǐng)與我們聯(lián)系。

設(shè)備名稱(chēng):

薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng),薄膜應(yīng)力測(cè)試儀,薄膜應(yīng)力計(jì),薄膜應(yīng)力儀,F(xiàn)ilm Stress Tester, Film Stress Measurement System;

主要特點(diǎn): 1.自主**技術(shù):MOS 多光束傳感器技術(shù);

2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱(chēng)窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì);

3.適合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等;

4.薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能;

5.生長(zhǎng)速率和薄膜厚度測(cè)量;(選件)

6.光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量;(選件)

7.多基片測(cè)量功能;(選件)

8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能;(選件)

9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù),系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn);

10.專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)免除了測(cè)量受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響;

測(cè)試功能:

1. 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量

2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量

3.實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線(xiàn)測(cè)量

4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長(zhǎng)全過(guò)程應(yīng)力監(jiān)控等

實(shí)時(shí)原位測(cè)量功能實(shí)例:曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、應(yīng)力—薄膜厚度曲線(xiàn)、多層薄膜應(yīng)力測(cè)量分析等;

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