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3C-SiC晶體

推薦日本大阪公立大學(xué)等首次證實(shí)半導(dǎo)體材料3C-SiC具有高熱傳導(dǎo)率

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日,由日本大阪公立大學(xué)與東北大學(xué)、AIR Water及美國(guó)伊利諾大學(xué)組成的研究團(tuán)隊(duì)日前證實(shí)確認(rèn)AIR Water開(kāi)發(fā)的半導(dǎo)體材料3C-SiC具有高傳導(dǎo)率,由于其成本相對(duì)較低,可制成大直徑晶圓,將可望有助于實(shí)現(xiàn)[更多]

資訊 3C-SiC晶體半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷先進(jìn)陶瓷
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