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P摻雜氧化物

推薦原位芯片氮化硅膜窗口為武漢理工大學新研究提供助力

中國粉體網(wǎng)訊 近日,武漢理工大學材料科學與工程國際化示范學院/材料復合新技術國家重點實驗室麥立強教授團隊利用微納器件研究了P摻雜氧化物在電化學活化過程中電導的連續(xù)演化,研究并證實了新形成的氧化物與P-O基團之間的誘導電子耦合[更多]

資訊 武漢理工大學麥立強教授P摻雜氧化物氮化硅芯片
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