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SiC功率器件

推薦新突破!SiC外延片邁向無缺陷

中國粉體網(wǎng)訊 近日,新加坡A-STAR微電子研究所和法國SOITEC發(fā)表了一篇文章,題為《SiC外延片邁向無缺陷》。我們經(jīng)常說的SiC外延,指的是SiC材料的襯底上生長一層具有特定晶體取向的SiC單晶薄膜的過程。其可以制造各[更多]

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