推薦北大排列高密度半導(dǎo)體碳納米管 電子學(xué)性能超同尺寸硅基器件

中國粉體網(wǎng)訊 集成電路的發(fā)展要求互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）晶體管在持續(xù)縮減尺寸的同時(shí)提升性能，降低功耗。隨著主流CMOS集成電路縮減到亞10 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，采用新結(jié)構(gòu)或新材料對抗場效應(yīng)晶體管中的短溝道效應(yīng)、進(jìn)一步提升器[更多]