推薦北京大學(xué)采用化合積電高質(zhì)量氮化鋁薄膜破解GaN-on-Si制備難題

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 憑借高功率、高頻工作環(huán)境下的優(yōu)良性能，氮化鎵（GaN）正在快速崛起，無(wú)論是在功率，還是射頻應(yīng)用領(lǐng)域。由于大尺寸硅（Si）基板具備低成本優(yōu)勢(shì)，且對(duì)現(xiàn)有CMOS工藝兼容，使得硅基氮化鎵（GaN-on-Si）成為市場(chǎng)[更多]