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禁帶

推薦AlN單晶襯底-2英寸不是終點

中國粉體網(wǎng)訊 氮化鋁(AlN)是極具應(yīng)用潛力的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有很多優(yōu)良的性質(zhì)。其禁帶寬度高達6.2eV,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性,以及高導(dǎo)熱、抗輻射等優(yōu)異性能。是紫外/深紫外LED、紫外L[更多]

資訊 氮化鋁禁帶半導(dǎo)體單晶襯底
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