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深圳平湖實驗室

推薦成本降低26%!SiC激光剝離技術(shù)再迎新進展

中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅(SiC)材料及其器件因其優(yōu)異的高溫、高頻、高耐壓、高功率和抗輻射性能,在新能源汽車、光伏、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域前景廣闊。然而,其規(guī);瘧(yīng)用受制于較高的成本,其中SiC襯底成本占比高達50%。深入分析[更多]

資訊 第三代半導(dǎo)體碳化硅加工SiC激光剝離新技術(shù)晶片切割深圳平湖實驗室
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