據法國國家科學研究院11月19日消息，一支由美國佐治亞理工學院、法國國家科學研究中心、法國SOLEIL同步輻射光源、法國洛林大學讓·拉穆爾研究所和格勒諾布爾尼爾研究所的科研人員組成的團隊，歷經8年的合作研究，成功開發(fā)出生產石墨烯納米帶的新技術。石墨烯獨特的物理特性令其成為電子設備的理想材料，這項技術為制備新一代納米電子元件鋪平了道路。該研究結果發(fā)表在11月18日的《自然·物理學》雜志上。

    石墨烯是由單層碳原子組成的二維晶體，具有很高化學穩(wěn)定性，并具有優(yōu)于碳納米管和金剛石的高導熱性、常溫下高于納米碳管或硅晶體的電子遷移率、低于銅或銀的電阻率等物理特性，因此成為了制備功耗更小、速率更高的新一代納米電子元件的重要候選材料。2004年，英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫，從石墨中成功分離出石墨烯，從而證實石墨烯可以單獨存在，兩人也因“在二維石墨烯材料的開創(chuàng)性實驗”共同獲得2010年諾貝爾物理學獎。十余年來，各國科研人員針對石墨烯開展了大量研究工作，試圖研制出高效、可控的制備石墨烯納米帶的技術工藝。

    基于法國SOLEIL同步加速器X射線等實驗的研究成果，法美科學團隊成功研制出一種用于生產石墨烯納米帶半導體的方法。科研人員在碳化硅表面刻蝕凹槽，并以此作為基板，通過控制基板的幾何形狀，在其上形成僅有幾納米寬的石墨烯納米帶。

    該項技術可在常溫下進行，其制備的石墨烯半導體僅為此前IBM公司所制納米帶的五分之一寬。該技術可高效、可控地制備石墨烯半導體，為石墨烯規(guī)�；�工業(yè)生產帶來可能，同時也使新一代高密度集成電路的制備不再遙不可及。