中國粉體網(wǎng)訊 碳納米管技術(shù)多年來一直被視為電腦芯片業(yè)界的救星，在硅芯片面臨著技術(shù)和物理瓶頸時(shí)，可以接棒繼續(xù)提高性能。然而雖然想像是美好的，但現(xiàn)實(shí)是碳納米管的高速度低能耗效果僅存在于紙面上，因?yàn)楦鞣N技術(shù)困難，而無法和發(fā)展多年的硅芯片相提并論。如今美國 Wisconsin-Madison 大學(xué)終于做出了突破，研究出了第一塊表現(xiàn)超越現(xiàn)代硅芯片的碳納米管晶體管，可以通過硅芯片 1.9 倍的電流。
這過程相當(dāng)繁復(fù)，要先挑出完美符合規(guī)范的碳納米管，再將它們在基板上照特定的順序排列成形，最后再放入真空中烘烤，把碳納米管和電極間的絕緣物質(zhì)消除掉。正是因?yàn)樗^麻煩，所以雖然以研究的角度來講是個大突破，但真的要實(shí)作出完整的芯片還有不少障礙要跨越，更別說它的生產(chǎn)和硅芯片完全不同，整個量產(chǎn)流程都要重新設(shè)計(jì)。碳納米管已經(jīng)確定了有取代硅芯片的潛力，但要到實(shí)用恐怕還要不少年吧！
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