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聞泰科技:目前公司的650V氮化鎵技術,已經(jīng)通過車規(guī)級測試,碳化硅產(chǎn)品已交付了第一批晶圓和樣品


來源:每日經(jīng)濟新聞

[導讀]  聞泰科技表示目前公司的650V氮化鎵(GaN)技術,已經(jīng)通過車規(guī)級測試,碳化硅(SiC)產(chǎn)品目前已經(jīng)交付了第一批晶圓和樣品。

中國粉體網(wǎng)訊  聞泰科技(600745.SH)11月3日在投資者互動平臺表示,安世半導體在行業(yè)推出領先性能的第三代半導體氮化鎵功率器件 (GaN FET),目標市場包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源,特別是在插電式混合動力汽車或純電動汽車中,氮化鎵技術是其使用的牽引逆變器的首選技術。目前公司的650V氮化鎵(GaN)技術,已經(jīng)通過車規(guī)級測試。碳化硅(SiC)產(chǎn)品目前已經(jīng)交付了第一批晶圓和樣品。 2021年上半年,公司半導體業(yè)務研發(fā)投入3.93億元(全年規(guī)劃9.4億元),進一步加強了在中高壓Mosfet、化合物半導體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入。在化合物半導體產(chǎn)品方面,目前氮化鎵已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET),已通過AEQC認證測試并實現(xiàn)量產(chǎn),碳化硅技術研發(fā)也進展順利,碳化硅二極管產(chǎn)品已經(jīng)出樣。 詳見年報、半年報。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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