中國(guó)粉體網(wǎng)訊  據(jù)日本化學(xué)工業(yè)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三菱化學(xué)與日本制鋼所合作研發(fā)的氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)基板技術(shù)，經(jīng)確認(rèn)結(jié)晶成長(zhǎng)已達(dá)4寸。氮化鎵是鎵與氮的化合物，是實(shí)現(xiàn)超高效率元件的關(guān)鍵材料，業(yè)界相當(dāng)期待正式普及化。今后將以大型實(shí)驗(yàn)設(shè)備進(jìn)行反覆驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2022年初推至量產(chǎn)，可望在2030年度成長(zhǎng)至數(shù)百億規(guī)模的大型事業(yè)。相關(guān)人員表示，原先評(píng)估量產(chǎn)要到2023年以后，因開發(fā)狀況順利且超過(guò)預(yù)期，將提前投入市場(chǎng)。

這項(xiàng)研發(fā)源自于新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)推動(dòng)的「實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)之次世代功率電子計(jì)劃」補(bǔ)助事業(yè)，并在GaN的結(jié)晶成長(zhǎng)技術(shù)上展現(xiàn)成果。實(shí)證采用2021年5月剛竣工的全球最大規(guī)模GaN基板制造實(shí)證設(shè)備，加上獨(dú)家開發(fā)的「SCAAT(Super Critical Acidic Ammonia Technology)-LP」的制造技術(shù)，得以制作出高品質(zhì)且低成本的GaN基板，并使之成長(zhǎng)至4寸。比起試生產(chǎn)所用的設(shè)備，大型實(shí)證設(shè)備在規(guī)模上有大幅度的提升，因此可制造更大量的GaN基板。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/長(zhǎng)安）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)請(qǐng)告知?jiǎng)h除！