中國粉體網(wǎng)訊 11月21日，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司宣布自主研制的SiC單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導(dǎo)電型SiC晶體，晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20毫米，同時(shí)已經(jīng)順利加工出8英寸SiC襯底片。
在8英寸碳化硅晶體研發(fā)過程中，粵海金成功解決了大直徑晶體擴(kuò)徑生長、大尺寸熱場分布和高溫氣相輸運(yùn)、大尺寸晶體應(yīng)力控制等關(guān)鍵共性技術(shù)難題，形成并掌握了完整的工藝解決方案，獲得了質(zhì)量優(yōu)良的碳化硅單晶與襯底片，為后續(xù)持續(xù)提升質(zhì)量并進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
粵海金是高金富恒集團(tuán)旗下專門從事第三代半導(dǎo)體材料——SiC襯底片材料研發(fā)與生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化公司。目前主要產(chǎn)品為6英寸導(dǎo)電SiC襯底片，同時(shí)致力于更大尺寸的導(dǎo)電型襯底片/半絕緣型襯底片的工工藝研發(fā)。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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