中國粉體網(wǎng)訊  近年來，電子集成技術(shù)發(fā)展迅速，電子設(shè)備的組裝密度提高較為迅速，電路的體積逐漸縮小，整個發(fā)展趨勢向輕薄小方向。在頻率較高的情況下，工作的熱量很容易聚集，難以排出。為了保證電子元器件的良好運行，散熱能力的大小是關(guān)鍵因素。

氮化鋁(AlN)因具有較高的熱導率(320W/m·K，25℃)、良好的絕緣性(＞10¹⁴Ω·cm)、較低的介電常數(shù)(8.8，1MHz)與介電損耗(tanσ＝10^-4)、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)(3.2×10^-6K^-1)、無毒以及優(yōu)異的化學穩(wěn)定性、機械性能和抗等離子性等特性而受到電子工業(yè)的廣泛關(guān)注。尤其球形氮化鋁粉體具有高流動性和堆積密度，作為填料使用時對體系粘度影響較小，有利于實現(xiàn)高填充，從而提高氮化鋁基板的散熱能力。

目前，常用的球形氮化鋁粉體制備方法是先將氧化鋁和碳源混合均勻(在混合過程中可加入燒結(jié)助劑)，然后在氮氣氣氛下進行高溫氮化得到含碳氮化鋁，再將含碳氮化鋁在空氣或氧氣氣氛下進行碳熱還原得到球形氮化鋁。但這種制備方法得到的是非致密的球形氮化鋁顆粒，將其用于填充材料時會出現(xiàn)填充量低、吸油值大等問題。

近日，安徽壹石通材料科技股份有限公司申請一項名為“致密化球形氮化鋁及其制備方法與應(yīng)用”，公開號CN202311836763.5，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，該發(fā)明公開了一種致密化球形氮化鋁及其制備方法與應(yīng)用，涉及導熱填料技術(shù)領(lǐng)域，該發(fā)明以亞微米級的氮化鋁為原料，并加入少量的氧化釔和鋁溶膠，通過噴霧造粒技術(shù)獲得多孔球形氮化鋁，然后將多孔球形氮化鋁與隔離劑混合均勻后依次進行高溫燒結(jié)以及除碳處理，最終得到球形度高且整體致密化的球形氮化鋁，顯著降低球形氮化鋁的比表面積，提高球形氮化鋁作為導熱填料的填充量，從而有效改善復合材料的導熱性能。

來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除