隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點。同時，我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
近年來，我國在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進展，但與國際先進水平相比，在晶體生長技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問題，才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場。
在此背景下，中國粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會，大會將匯聚國內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長工藝、關(guān)鍵原材料、生長設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開演講交流。合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司作為參展單位邀請您共同出席。
合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司成立于2020年，坐落于大湖名城——安徽合肥。公司目前注冊資金5.75億元，是一家專注第三代功率半導(dǎo)體材料碳化硅晶體生長、襯底片、外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。
淵源于露笑科技藍寶石深厚的技術(shù)積淀、引進國內(nèi)最早和最鼎尖的從事碳化硅晶體生長研究的陳之戰(zhàn)博士技術(shù)團隊，公司突破了高質(zhì)量碳化硅晶體生長、高幾何精度及近零損傷表面加工關(guān)鍵技術(shù)，掌握了制造碳化硅長晶爐的核心技術(shù)、襯底加工和清洗的系統(tǒng)解決方案，產(chǎn)品參數(shù)達到了P級標(biāo)準(zhǔn)，已通過外延廠家批量驗證。
公司將全力布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，積極進行自主知識產(chǎn)權(quán)申請和保護，加強關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用，致力于打造“晶體生長——襯底——外延”一體化產(chǎn)業(yè)鏈，打破國外長期行業(yè)技術(shù)封鎖和壟斷，為我國解決“卡脖子”技術(shù)工程貢獻力量，以推動我國第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
產(chǎn)品介紹
1、SiC襯底片
新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目對于滿足國內(nèi)外快速增長的6英寸、8英寸級別的碳化硅襯底片市場需求，促進襯底片質(zhì)量與成品率水平的提升將發(fā)揮較為重要作用。
2、SiC晶體
碳化硅作為C和Si穩(wěn)定的化合物，其晶格結(jié)構(gòu)由致密排列的兩個亞晶格組成，每個Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過定向的強四面體sp3鍵結(jié)合，雖然SiC的四面體鍵很強，但層錯形成能量卻很低，這一特點決定了SiC的多型體現(xiàn)象，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。最常見的多型體為立方密排的3C-SiC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型體具有不同的電學(xué)性能與光學(xué)性能。SiC的禁帶寬度為Si的2-3倍，熱導(dǎo)率約為Si的4.4倍，臨界擊穿電場約為Si的8倍，電子的飽和漂移速度為Si的2倍。SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料，可應(yīng)用于大功率的電子轉(zhuǎn)換器及汽車馬達等領(lǐng)域的極端環(huán)境中。另外，采用SiC所制備的發(fā)光二極管的輻射波長可以覆蓋從藍光到紫光的波段，在光信息顯示系統(tǒng)及光集成電路等領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。
3、PVT晶體生長爐
晶體生長：通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）生長碳化硅晶體。
感應(yīng)將坩堝加熱至2,000℃以上，控制籽晶處溫度略低于下部微粉處，在坩堝內(nèi)形成軸向溫度梯度。碳化硅微粉在高溫下升華形成氣相的Si2C、SiC2、Si等物質(zhì)，在溫度梯度驅(qū)動下到達溫度較低的籽晶處，并在其上結(jié)晶形成圓柱狀碳化硅晶錠。
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