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江蘇京創(chuàng)先進(jìn)電子科技與您相約江蘇!2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)


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[導(dǎo)讀]  2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)交流會(huì),8月21日相約江蘇·蘇州

隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,在新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透,已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí),我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域,碳化硅半導(dǎo)體將在我國(guó)5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車(chē)充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。


近年來(lái),我國(guó)在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展,但與國(guó)際先進(jìn)水平相比,在晶體生長(zhǎng)技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程中面臨著晶體缺陷控制、生長(zhǎng)速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題;晶圓加工方面,則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢(shì)下,快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問(wèn)題,才能夠更好地占據(jù)未來(lái)碳化硅市場(chǎng)。


在此背景下,中國(guó)粉體網(wǎng)將于2025年8月21日江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì),大會(huì)將匯聚國(guó)內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長(zhǎng)工藝、關(guān)鍵原材料、生長(zhǎng)設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開(kāi)演講交流。江蘇京創(chuàng)先進(jìn)電子科技有限公司作為參展單位邀請(qǐng)您共同出席。


2013年京創(chuàng)先進(jìn)在“人間天堂”蘇州成立,公司總部位于常熟經(jīng)開(kāi)區(qū),研發(fā)中心及商務(wù)服務(wù)中心設(shè)立在相城區(qū)。公司多年來(lái)一直聚焦在高精密切、磨、拋技術(shù)領(lǐng)域,致力于提供先進(jìn)的自主化、系列化、智能化半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)裝備及配套工藝一體化解決方案,加速推進(jìn)行業(yè)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程,助力我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。


歷經(jīng)十載不懈的發(fā)展,公司現(xiàn)已發(fā)展成為擁有數(shù)字化研發(fā)創(chuàng)新中心、數(shù)萬(wàn)平米標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地、半導(dǎo)體制程先進(jìn)工藝聯(lián)合開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)室以及一支完善的高水平專業(yè)化人才隊(duì)伍的高新技術(shù)企業(yè)。京創(chuàng)一直秉承“以客戶為先,以貢獻(xiàn)者為榮,堅(jiān)持合作開(kāi)放,持續(xù)精進(jìn)創(chuàng)新”的價(jià)值觀,以科技創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,深入布局劃片、減薄、拋光設(shè)備三大產(chǎn)品線,為客戶創(chuàng)造價(jià)值,為振興民族工業(yè),推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,貢獻(xiàn)一份力量和擔(dān)當(dāng)。


會(huì)務(wù)組

聯(lián)系人:段經(jīng)理

電話:13810445572

郵箱:duanwanwan@cnpowder.com




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