中國粉體網(wǎng)訊  7月30日，中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司（簡稱：爍科晶體）年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目啟動儀式在山西省太原市舉行。

年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目是中國電子科技集團有限公司與山西省人民政府戰(zhàn)略共建的央地合作典范，項目投產(chǎn)后將新增100萬mm碳化硅單晶和30萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能，并快速實現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化和12英寸碳化硅襯底的工程化應(yīng)用。

爍科晶體成立于2018年10月，是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料SiC生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)，在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，同時也是央企中國電子科技集團有限公司“十二大創(chuàng)新平臺”之一。

到2020年，該公司的SiC晶片產(chǎn)量已達3萬余片，市場占有率超過50%。在近年來的發(fā)展過程中，公司逐漸形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

同時，爍科晶體在碳化硅導(dǎo)電型襯底領(lǐng)域也是全球的佼佼者，尤其是在8英寸碳化硅襯底領(lǐng)域成績斐然：2021年9月制備出國內(nèi)首塊8英寸碳化硅單晶，2022年3月又率先加工出8英寸碳化硅單晶襯底，2023年再次率先將8英寸碳化硅襯底厚度降至350微米。

2024年12月26日，山西爍科晶體有限公司成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅單晶襯底。這是全球首次實現(xiàn)300 mm半絕緣SiC晶圓，標(biāo)志著超大尺寸SiC晶體生長和缺陷控制取得突破。

據(jù)消息，全球首片12英寸高純半絕緣碳化硅襯底的成功研制，圍繞碳化硅基底刻蝕制備衍射光波導(dǎo)鏡片的核心技術(shù)攻關(guān)，推動碳化硅刻蝕衍射光波導(dǎo)產(chǎn)品的研發(fā)與量產(chǎn)。近年來，爍科晶體與歐洲、日本、韓國、中國臺灣等國家和地區(qū)的客戶簽訂長期訂單，國際市場前景向好。

2025年8月21日，中國粉體網(wǎng)將在蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會。屆時山西爍科晶體有限公司市場經(jīng)理劉曉星將帶來《碳化硅單晶襯底材料的發(fā)展及展望》的精彩報告，共同探討碳化硅單晶襯底的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢，歡迎報名參會！

來源：半導(dǎo)體材料行業(yè)協(xié)會

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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