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碳化硅單晶

推薦高品質(zhì)碳化硅單晶制備需要注意哪幾點(diǎn)？

中國粉體網(wǎng)訊 當(dāng)前碳化硅單晶的制備方法主要有：物理氣相傳輸法（PVT）、頂部籽晶溶液生長法（TSSG）、高溫化學(xué)氣相沉積法（HT-CVD）。其中，PVT法具有設(shè)備簡單，操作容易控制，設(shè)備價(jià)格以及運(yùn)行成本低等優(yōu)點(diǎn)，成為工業(yè)生產(chǎn)[更多]

資訊 碳化硅單晶第三代半導(dǎo)體PVT法碳化硅晶體生長碳化硅長晶技術(shù)
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