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碳化硅晶體生長(zhǎng)

推薦高品質(zhì)碳化硅單晶制備需要注意哪幾點(diǎn)?

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 當(dāng)前碳化硅單晶的制備方法主要有:物理氣相傳輸法(PVT)、頂部籽晶溶液生長(zhǎng)法(TSSG)、高溫化學(xué)氣相沉積法(HT-CVD)。其中,PVT法具有設(shè)備簡(jiǎn)單,操作容易控制,設(shè)備價(jià)格以及運(yùn)行成本低等優(yōu)點(diǎn),成為工業(yè)生產(chǎn)[更多]

資訊 碳化硅單晶第三代半導(dǎo)體PVT法碳化硅晶體生長(zhǎng)碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)
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