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浙大杭州科創(chuàng)中心

推薦國(guó)內(nèi)首次厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長(zhǎng)取得新進(jìn)展

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 據(jù)浙大杭州科創(chuàng)中心官微消息,浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心(簡(jiǎn)稱科創(chuàng)中心)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的研究人員們經(jīng)過近兩年的努力,首次生長(zhǎng)出厚度達(dá)100 mm的超厚碳化硅單晶!若要將碳化硅單晶厚度顯著提升[更多]

資訊 碳化硅單晶第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料PPVT浙大杭州科創(chuàng)中心
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