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神通半導(dǎo)體科技(南通)與您相約江蘇!2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)


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[導(dǎo)讀]  2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)交流會(huì),8月21日相約江蘇·蘇州

隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,在新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透,已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí),我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域,碳化硅半導(dǎo)體將在我國(guó)5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車(chē)充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。


近年來(lái),我國(guó)在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展,但與國(guó)際先進(jìn)水平相比,在晶體生長(zhǎng)技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程中面臨著晶體缺陷控制、生長(zhǎng)速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題;晶圓加工方面,則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢(shì)下,快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問(wèn)題,才能夠更好地占據(jù)未來(lái)碳化硅市場(chǎng)。


在此背景下,中國(guó)粉體網(wǎng)將于2025年8月21日江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì),大會(huì)將匯聚國(guó)內(nèi)行業(yè)專(zhuān)家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長(zhǎng)工藝、關(guān)鍵原材料、生長(zhǎng)設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開(kāi)演講交流。神通半導(dǎo)體科技(南通)有限公司作為參展單位邀請(qǐng)您共同出席。



神通半導(dǎo)體科技(南通)有限公司2022年12月成立于江蘇省啟東市,由江蘇神通閥門(mén)股份有限公司全資設(shè)立。公司專(zhuān)業(yè)從事集成電路、光伏、顯示面板等行業(yè)中所需的真空閥門(mén)、工藝氣體閥門(mén)、管件、測(cè)量?jī)x器等關(guān)鍵零部件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。公司目標(biāo)成為這一領(lǐng)域的單打冠軍,以性能優(yōu)異、品質(zhì)穩(wěn)定的產(chǎn)品為用戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值、為員工創(chuàng)造機(jī)會(huì)、為股東創(chuàng)造回報(bào)、為社會(huì)創(chuàng)造財(cái)富。



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