隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí)，我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國(guó)5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

近年來(lái)，我國(guó)在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，但與國(guó)際先進(jìn)水平相比，在晶體生長(zhǎng)技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程中面臨著晶體缺陷控制、生長(zhǎng)速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢(shì)下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問(wèn)題，才能夠更好地占據(jù)未來(lái)碳化硅市場(chǎng)。

在此背景下，中國(guó)粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)，大會(huì)將匯聚國(guó)內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長(zhǎng)工藝、關(guān)鍵原材料、生長(zhǎng)設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開(kāi)演講交流。上海景鴻科譜光電科技有限公司作為參展單位邀請(qǐng)您共同出席。

上海景鴻科譜光電科技有限公司是一家成立于 2023 年的高科技企業(yè)，專注于拉曼光譜檢測(cè)技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用。

公司擁有一支由博士領(lǐng)銜的核心技術(shù)人員團(tuán)隊(duì)。具備深厚的學(xué)術(shù)背景和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，在拉曼光譜分析、數(shù)據(jù)處理和儀器研發(fā)等方面具有卓越的專業(yè)能力。

公司的主要業(yè)務(wù)涵蓋拉曼光譜儀器的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，以及為客戶提供定制化的光譜檢測(cè)服務(wù)。公司的光譜儀器具有高精度、高穩(wěn)定性和易操作等特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品安全、生物醫(yī)藥等多個(gè)領(lǐng)域。同時(shí)，還能夠根據(jù)客戶的具體需求，提供從樣品處理、數(shù)據(jù)采集到結(jié)果分析的全流程服務(wù)，確�？蛻裟軌颢@得最準(zhǔn)確、最可靠的檢測(cè)結(jié)果。

產(chǎn)品介紹

1、共軛焦顯微拉曼光譜線上檢測(cè)設(shè)備

應(yīng)用材料:

Si Sic GaN GaAs InP LiTaO° LiNbO°等

應(yīng)用市場(chǎng):

晶錠切片、晶圓切割、研磨、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、外延生長(zhǎng)、薄膜沉積、蝕刻、離子注入、退火

產(chǎn)品特性：

UniDRON-APCRS 功能

具備非破壞快速深層應(yīng)力分布檢測(cè)原子級(jí)制程殘留物分析摻雜濃度分析(AIMg SiGe 等)對(duì)接 OHT 實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)上下料兼容 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)的 FOUP、FOSB 等容器內(nèi)部微環(huán)境可維持 ISO Class1潔凈度，保障傳輸過(guò)程的潔凈要求

運(yùn)用技術(shù)：

激光激發(fā)、共軛焦顯微、光譜采集、熒光過(guò)濾、數(shù)據(jù)處理、譜峰解析、物理量計(jì)算、Autofocus、高精度氣浮運(yùn)動(dòng)載臺(tái)

產(chǎn)品亮點(diǎn)：

① 單臺(tái)拉曼光譜檢測(cè)設(shè)備集成 XRD 的應(yīng)力分析 +SIMS 的離子檢測(cè) +FTIR 的有機(jī)物分析功能；

②采用拉曼光譜技術(shù)實(shí)現(xiàn)非破壞性無(wú)損檢測(cè)，這一方法有效地替代了行業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)的破壞性檢測(cè)手段，不僅提高了檢測(cè)效率還確保了樣品的完整性和安全性；

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖

2、碳化硅晶錠無(wú)損深層應(yīng)力分析設(shè)備

應(yīng)用材料:

Si Sic GaN GaAs InP LiTaO° LiNbO°等

應(yīng)用市場(chǎng):

碳化硅晶錠切片、晶圓切割、研磨、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、外延生長(zhǎng)、薄膜沉積、蝕刻、離子注入、退火

產(chǎn)品特性

SIC-300A功能

此設(shè)備由人工上下料，檢測(cè)晶錠(晶棒)或 Wafer 深層應(yīng)力分布、微觀瑕疵、晶格缺陷等問(wèn)題。

運(yùn)用技術(shù)

激光激發(fā)、共軛焦顯微、光譜采集、熒光過(guò)濾、數(shù)據(jù)處理、譜峰解析、物理量計(jì)算、成像映射、數(shù)據(jù)驗(yàn)證

產(chǎn)品亮點(diǎn)

無(wú)損快速精準(zhǔn)測(cè)量表層中層深層應(yīng)力分布，并可輸出三維立體應(yīng)力分布分析報(bào)告。整片 Wafer 或晶錠(晶棒),Mapping900 點(diǎn)<20 分鐘

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖

會(huì)務(wù)組

聯(lián)系人：段經(jīng)理

電話：13810445572

郵箱：duanwanwan@cnpowder.com

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