中國粉體網(wǎng)訊  2025年8月21日，由中國粉體網(wǎng)主辦的“第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會”在蘇州·白金漢爵大酒店成功召開！大會期間，中國粉體網(wǎng)記者有幸邀請到多位專家、企業(yè)界代表做客我們的“對話”欄目暢談碳化硅半導體前沿技術(shù)、裝備與產(chǎn)業(yè)化進展，共同展望這一戰(zhàn)略性材料的無限潛能。本期為您分享的是青禾晶元半導體科技（集團）有限責任公司聯(lián)合創(chuàng)始人＆副總經(jīng)理劉福超的專訪。

青禾晶元半導體科技（集團）有限責任公司聯(lián)合創(chuàng)始人＆副總經(jīng)理劉福超

中國粉體網(wǎng)：劉總，您好，請您簡單介紹下鍵合技術(shù)及其在半導體中發(fā)揮的作用？

劉總：鍵合包括材料鍵合和芯片鍵合。首先，材料和材料之間的鍵合，可以實現(xiàn)半導體材料和泛半導體材料之間的鍵合，以及半導體材料和半導體材料的鍵合。隨著器件的發(fā)展，以及我們科技、生活中的應(yīng)用和需求的提升，單一材料的性能難以滿足整個器件的需求，鍵合材料可以發(fā)揮兩種或多種材料不同的性能，鍵合起來的話具備多種功能，可以給我們提供更廣闊的材料應(yīng)用平臺。其次是芯片鍵合，隨著摩爾定律逐漸趨于極限，達到物理瓶頸，以及光刻對于國內(nèi)的一些限制，在平面拓展芯片的性能已經(jīng)難以進一步提升，鍵合可以實現(xiàn)三維堆疊，那么可以從三維實現(xiàn)芯片集成，來進一步提升芯片的性能水平。

中國粉體網(wǎng)：公司的常溫鍵合系列設(shè)備有哪些優(yōu)勢呢？

劉總：常溫鍵合就是材料互聯(lián)以及芯片互聯(lián)很匹配的一種方式。所謂常溫互聯(lián)就是在室溫的情況下實現(xiàn)材料牢靠的連接，這是其他鍵合材料無法達到的。它主要有幾種優(yōu)勢：第一，它的溫度是室溫，無需升溫，不同材料如果熱膨脹系數(shù)差異不同，那升溫帶來很大的變形或者是一些缺陷，室溫就可以做到很好地匹配。第二，它是沒有中間層的，像親水鍵合方式的話，它會加一個中間層，會影響到材料原始的熱學力學等性能，那常溫鍵合就是可以非常好地應(yīng)對。第三，常溫鍵合很高效，常溫鍵合只有鍵合一步，沒有后續(xù)的退火等制程，所以整體來講，生產(chǎn)效率會更高，更加適合大規(guī)模的量產(chǎn)。

中國粉體網(wǎng)：報告提到的超低阻碳化硅鍵合集成技術(shù)，國內(nèi)外研究進展如何呢？

劉總：這個是從國外最先興起的，法國的Soitec在前些年出現(xiàn)了這種超低阻碳化硅，它極具碳化硅不同晶型的優(yōu)勢，既發(fā)揮4H單晶碳化硅可以做很好的低缺陷的外延生長的優(yōu)勢，又能夠利用3C低阻多晶碳化硅電阻率做到極低，這樣整體芯片的導通性能可以更好，芯片的尺寸可以更小，那整個晶圓做的芯片數(shù)量可以更多，這是法國Soitec最先做的，它是行業(yè)的一個龍頭，像日本住友也在做這個事情。國內(nèi)就是青禾晶元，我們是國內(nèi)首家實現(xiàn)中等規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)。

中國粉體網(wǎng)：公司生產(chǎn)的碳化硅復合襯底有什么新的技術(shù)突破或創(chuàng)新？

劉總：技術(shù)突破的話，最近我們實現(xiàn)了低阻多晶鍵合碳化硅，電阻率已經(jīng)達到了1.5mΩ以下，這個相對于國際水平來講也是非常領(lǐng)先的。其次，在供體的這個4H單晶碳化硅，我們可以進行反復利用超過20次，這也是目前全球領(lǐng)先的一個水平。

中國粉體網(wǎng)：當前碳化硅鍵合還存在哪些技術(shù)難點？

劉總：現(xiàn)在存在的技術(shù)難點我覺得還是多晶，因為多晶碳化硅的話，它有很多的晶界和不同的晶相，這些晶格之間、晶粒之間互相的高低差，如何在鍵合過程中去匹配去克服，從而減少鍵合帶來的缺陷，這也是目前的一個難點。我們也在通過工藝和裝備的雙向改進來進一步克服這個事情，目前我們的水平已經(jīng)達到了國際較為領(lǐng)先的水平，目前還是希望能夠進一步提升，來獲得更多的芯片的良率。

中國粉體網(wǎng)：好的，感謝劉總接受我們的專訪。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/石語）

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